Zobrazeno 1 - 10 of 126 pro vyhledávání: '"Pazos S"'
1
Akademický článek
Temperature dependence of trapping effects in metal gates/Al2O3/InGaAs stacks
Autor: Palumbo, F., Pazos, S., Aguirre, F., Winter, R., Krylov, I., Eizenberg, M.
Publikováno v: In Solid State Electronics June 2017 132:12-18
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Breakdown transients in high-k multilayered MOS stacks: Role of the oxide–oxide thermal boundary resistance.
Autor: Boyeras Baldomá, S., Pazos, S. M., Aguirre, F. L., Palumbo, F. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/21/2020, Vol. 128 Issue 3, p1-8, 8p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Impact of bilayered oxide stacks on the breakdown transients of metal–oxide–semiconductor devices: An experimental study.
Autor: Pazos, S. M., Boyeras Baldomá, S., Aguirre, F. L., Krylov, I., Eizenberg, M., Palumbo, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/7/2020, Vol. 127 Issue 17, p1-10, 10p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje