Zobrazeno 1 - 10 of 668 pro vyhledávání: '"Payusov, A."'
1
Akademický článek
Thermal Resistance Measurement of Edge-Emitting Semiconductor Lasers Using Spontaneous Emission Spectra.
Autor: Payusov, A. S.1 (AUTHOR) plusov@mail.ioffe.ru, Beckman, A. A.1 (AUTHOR), Kornyshov, G. O.2 (AUTHOR), Shernyakov, Yu. M.1 (AUTHOR), Maximov, M. V.2 (AUTHOR), Gordeev, N. Yu.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Jun2023, Vol. 57 Issue 6, p310-315. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Focused Ion Beam Milling of Ridge Waveguides of Edge-Emitting Semiconductor Lasers.
Autor: Payusov, A. S.1 (AUTHOR) plusov@mail.ioffe.ru, Mitrofanov, M. I.1,2 (AUTHOR), Kornyshov, G. O.3 (AUTHOR), Serin, A. A.1 (AUTHOR), Voznyuk, G. V.1 (AUTHOR), Kulagina, M. M.1 (AUTHOR), Evtikhiev, V. P.1 (AUTHOR), Gordeev, N. Yu.1 (AUTHOR), Maximov, M. V.3 (AUTHOR), Breuer, S.4 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics Letters. 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS288-S291. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Superluminescent Diodes Based on Chirped InGaAs/GaAs Quantum Well-Dot Layers
Autor: Mikhail V. Maximov, Nikita Yu. Gordeev, Yuri M. Shernyakov, Grigoriy O. Kornyshov, Artem A. Beckman, Alexey S. Payusov, Sergey A. Mintairov, Nikolay A. Kalyuzhnyy, Marina M. Kulagina, Alexey E. Zhukov
Publikováno v: Photonics, Vol 10, Iss 10, p 1090 (2023)
We study the applicability of InGaAs/GaAs quantum well-dots (QWDs) for active regions of broadband superluminescent diodes (SLDs) emitting in the 950–1150 nm spectral range; 2 mm long SLDs with a bent section and an active region based on seven chi
Externí odkaz: https://doaj.org/article/52dec16217a74f92866751ab6b579778
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept
Autor: Lili Han, Zhaowei Wang, Nikita Yu. Gordeev, Mikhail V. Maximov, Xiansheng Tang, Artem A. Beckman, Grigoriy O. Kornyshov, Alexey S. Payusov, Yuri M. Shernyakov, Alexey E. Zhukov, Kuilong Li, Ruizhan Zhai, Zhongqing Jia, He Yang, Wei Zhang
Publikováno v: Micromachines, Vol 14, Iss 6, p 1271 (2023)
Semiconductor lasers have developed rapidly with the steady growth of the global laser market. The use of semiconductor laser diodes is currently considered to be the most advanced option for achieving the optimal combination of efficiency, energy co
Externí odkaz: https://doaj.org/article/2b185fbe6f71476db4323806aec4ed89
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje