Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Pavlovskyy, Yu. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 19, No 1 (2018); 14-20
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 19, No 1 (2018); 14-20
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 19, No 1 (2018); 14-20
By the method of chemical transport reactions in the closed halogen system Si-Au-Pt-B-Br, whiskers Si1-xGex x = 0.01-0.08 of transverse dimensions 0.1-100 μm were grown. Structural and magnetic properties of the obtained crystals are investigated. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::4e9ff449b7fd748fddb48c506da0d327
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/2240
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/2240
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 17, No 2 (2016); 198-201
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 17, No 2 (2016); 198-201
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 17, No 2 (2016); 198-201
The magnetic field experimental dependences of vanadium and chlorine doped Cd1-xZnxTe monocrystals magnetic susceptibility have been research. The magnetic susceptibility non-linearity has been observed. It is shown that this non-linearity due to sup
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::b45076420d2c094738c94aca4b01da00
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/1319
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/1319
Autor:
Vernydub, R. M., Kyrylenko, O. I., Konoreva, O. V., Olikh, Ya. M., Litovchenko, P. G., Pavlovskyy, Yu. V., Potera, P., Tartachnyk, V. P.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2020, Vol. 23 Issue 2, p201-207, 7p
Autor:
Tsmots, V. M., Litovchenko, P. G., Pavlovskyy, Yu. V., Litovchenko, O. P., Pankiv, I. S., Luchkevych, M. M.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Dependence of paramagnetic component of silicon magnetic susceptibility on pre-irradiation by fast neutrons (fn) after subsequent thermal treatment of samples at 700-1000 î Ñ has been studied. It has been shown based on the measurements of magnetic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::c33a4e0c36fa3c1519a115f7a49d1b15
http://semst.onu.edu.ua/article/view/115947
http://semst.onu.edu.ua/article/view/115947
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskyy, Yu. V., Ugrin, Yu. O., Luka, G., Ostrovskyy, I. P.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2014, Vol. 17 Issue 4, p416-420, 5p
Publikováno v:
Semiconductors; May2010, Vol. 44 Issue 5, p623-627, 5p, 2 Charts, 4 Graphs