Výsledky vyhledávání - "Pavageau, C."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications

Autor: Si Moussa, M., Pavageau, C., Lederer, D., Picheta, L., Danneville, F., Fel, N., Russat, J., Raskin, J.-P., Vanhoenacker-Janvier, D.

Publikováno v: In Solid State Electronics November-December 2006 50(11-12):1822-1827

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Single particle and ultrafast spectroscopy of new photochromic nanoparticles

Autor: Sliwa, M., Debus, B., Bernex, R., Ruckebusch, C., Pavageau, C., Métivier, R., Yu, P., Miyasaka, H., Abe, J.

Publikováno v: Pacifichem-Design of Innovative Photochromic Applications
Pacifichem-Design of Innovative Photochromic Applications, Dec 2015, Honolulu, United States

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6c4f14f67248fdd0da102f67ac6b9b98
https://hal.science/hal-01262276

Zobrazit plný text záznamu

Current vulnerability in the Tri-National de la Sangha landscape, Cameroon

Autor: Devisscher T., Bharwani S., Tiani A.M., Pavageau C.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2c2b691f9fcbaabe9e414810619246ab
https://doi.org/10.17528/cifor/004092

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

An investigation of high temperature effects on CPW and MSL on SOI substrate for RF applications

Autor: Si Moussa, M., Pavageau, C., Lederer, Dimitri, Picheta, L., Danneville, F., Raskin, Jean-Pierre, Fel, N., Russat, J., Vanhoenacker-Janvier, Danielle

Publikováno v: Solid-State Electronics, Vol. 50, no.12, p. 1822-1827 (2006)

One of the main markets for Silicon-onInsulator (SOI) devices is the high-temperature applications. In the last decade, the technology advances to deep submicron to improve device performances in term of cut-off frequency. Practical application of in

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::c714e0b8b5707eb56d7533d8336898d8
https://hdl.handle.net/2078.1/239688

Zobrazit plný text záznamu

Design of a travelling wave amplifier in 0.13 µm partially depleted SOI

Autor: Si Moussa, M., Pavageau, C., Danneville, F., Russat, J., Fel, N., Raskin, J.P., Vanhoenaker-Janvier, D.

Publikováno v: Proceedings of the First Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, EUROSOI 2005
Proceedings of the First Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, EUROSOI 2005, 2005, Granada, Spain

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1322b6ec780b0d4330d50fa4dc683ea9
https://hal.science/hal-00131109

Zobrazit plný text záznamu

Behavior of a common source traveling wave amplifier versus temperature in SOI technology

Autor: Si Moussa, M., Pavageau, C., Danneville, F., Russat, J., Fel, N., Raskin, Jean-Pierre, Vanhoenacker-Janvier, Danielle

Publikováno v: European Microwave Association. Proceedings, Vol. 1, p. 288-292 (2005)

In this paper, the design and the results of a CMOS Silicon-on-Insulator (SOI) traveling wave amplifier (TWA) versus temperature are presented. The four stage TWA is designed with a single common source n-MOSFET in each stage using a 130 nm SOI CMOS

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::9f836da08a3054492fc0a0e4ed025a01
https://hdl.handle.net/2078.1/239696

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání