Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"Patil, Sunil. R."'
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 31 (2016) 125019
Moderate amount of bending strains, ~3% are enough to induce the semiconductor-metal transition in Si nanowires of ~4nm diameter. The influence of bending on silicon nanowires of 1 nm to 4.3 nm diameter is investigated using molecular dynamics and qu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.04220
Autor:
Rabbani, M. Golam, Patil, Sunil R., Verma, Amit, Villarreal, Julian E., Korgel, Brian A., Nekovei, Reza, Khader, Mahmoud M., Darling, R. B., Anantram, M. P.
Publikováno v:
Nanotechnology 27 (2016) 045201
Semiconducting nanowire (NW) devices have garnered attention in self-powered electronic and optoelectronic applications. This work explores and exhibits, for the first time for visible light, a clear evidence of the zero-biased optoelectronic switchi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.04217
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2019 16 Part 2:750-757
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2019 16 Part 2:592-597
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2018 5(2) Part 1:4438-4444
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2018 5(2) Part 1:3883-3894
Autor:
Patil, Sunil R., Melnik, Roderick
Publikováno v:
In Procedia Engineering July 2009 1(1):105-108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.