Zobrazeno 1 - 10
of 98
pro vyhledávání: '"Pathirana, V."'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2018 83:146-156
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical 1 February 2015 222:31-38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gammon P.M., Chan C.W., Gity F., Trajkovic T., Kilchytska V., Fan L., Pathirana V., Camuso G., Ben Ali K., Flandre D., Mawby P.A., Gardner J.W.
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 16, p 12003 (2017)
A new generation of power electronic semiconductor devices are being developed for the benefit of space and terrestrial harsh-environment applications. 200-600 V lateral transistors and diodes are being fabricated in a thin layer of silicon (Si) wafe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0dd4f01de6134216a5eee2a56425504d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rajaguru, P., Bailey, Christopher, Aliyu, Attahir Murtala, Castellazzi, Alberto, Pathirana, V., Udugampola, N., Trajkovic, T., Udrea, F., Mitchelson, P.D., Elliot, A.D.T.
Publikováno v:
IndraStra Global.
This paper details a co-design and modelling methodology to optimise the flip-chip assembly parameters so that the overall package and system meets performance and reliability specifications for LED lighting applications. A co-design methodology is e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.