Zobrazeno 1 - 10
of 1 565
pro vyhledávání: '"Passivated"'
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 22, Iss , Pp 100501- (2024)
Additive engineering has been demonstrated to effectively mitigate carrier losses associated with high surface defects of perovskite at grain boundaries, bulk, and interfaces. Nevertheless, there are persistent challenges in enhancing the passivation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4a7ec761dc0c420cb7bba2fc48f7c426
Publikováno v:
Solar, Vol 3, Iss 3, Pp 362-381 (2023)
Passivated, selective contacts in silicon solar cells consist of a double layer of highly doped polycrystalline silicon (poly Si) and thin interfacial silicon dioxide (SiO2). This design concept allows for the highest efficiencies. Here, we report on
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/73e85ff920c443feafcadf70cbc72ed2
Autor:
Jordan Roy, Umme Tabassum Sarah, Gaëlle Lissorgues, Olivier Français, Abir Rezgui, Patrick Poulichet, Hakim Takhedmit, Emmanuel Scorsone, Lionel Rousseau
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 11, p 3619 (2024)
This paper demonstrates, for the first time, the stability of synthetic diamond as a passive layer within neural implants. Leveraging the exceptional biocompatibility of intrinsic nanocrystalline diamond, a comprehensive review of material aging anal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/db352abc5986468db83dd90f9995cb21
Autor:
Karsten Hinrichs, Naveen Shetty, Sergey Kubatkin, Per Malmberg, Samuel Lara-Avila, Andreas Furchner, Jörg Rappich
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 5, Iss 1, Pp n/a-n/a (2024)
This comprehensive optical study analyzes field manipulations of bands in infrared (IR) spectra of thin films and functional surfaces for varying measurement and sample conditions. Band variations related to the materials dielectric functions, the me
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ed8ba30536de49d79119b465f4a70437
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seira Yamaguchi, Kyotaro Nakamura, Taeko Semba, Keisuke Ohdaira, Kazuhiro Marumoto, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda
Publikováno v:
Energy Science & Engineering, Vol 10, Iss 7, Pp 2268-2275 (2022)
Abstract This study investigated how the SiNx refractive index (RI) and SiO2 thickness, dox, of stacked SiNx/SiO2 passivation layers of the front p+emitters of n‐type crystalline‐silicon (c‐Si) photovoltaic (PV) cells affect their polarization
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5752560b1fa84351aa831fe4462d6c49
Autor:
Huyeng Jonas D., Lohmüller Elmar, Shabanzadeh Behnaz, Reichel Christian, Rößler Torsten, Weber Julian, Hofmann Marc, von Kutzleben Daniel, Abdel Latif Najwa, Kraft Achim, Neuhaus Holger, Clement Florian, Preu Ralf
Publikováno v:
EPJ Photovoltaics, Vol 15, p 22 (2024)
Cutting silicon solar cells from their host wafer into smaller cells reduces the output current per cut cell and therefore allows for reduced ohmic losses in series interconnection at module level. This comes with a trade-off of unpassivated cutting
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/11705d08e042491baab42b8956d31014
Publikováno v:
Advanced Energy & Sustainability Research, Vol 4, Iss 2, Pp n/a-n/a (2023)
Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) solar cells are among the most efficient thin‐film solar cells on lab scale. However, this thin‐film technology has relatively large upscaling losses for commercial technology. To tackle this, paradigm shifts are proposed tha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c6c0bbbe6c2d40a3afbf2c6a08329038