Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Pasko, Sergej"'
Autor:
Bergmann, Max, Belz, Jürgen, Maßmeyer, Oliver, Dogahe, Badrosadat Ojaghi, Günkel, Robin, Glowatzki, Johannes, Beyer, Andreas, Solovev, Ivan, Drawer, Jens-Christian, Esmann, Martin, Pasko, Sergej, Krotkus, Simonas, Heuken, Michael, Wippermann, Stefan, Volz, Kerstin
In this study, we investigate excitonic properties of epitaxially grown WS2, which is of particular interest for various applications due to its potential for upscaling to wafer sized structures. Understanding the effect of the dielectric environment
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.13020
Autor:
Maßmeyer, Oliver, Belz, Jürgen, Dogahe, Badrosadat Ojaghi, Widemann, Maximilian, Günkel, Robin, Glowatzki, Johannes, Bergmann, Max, Pasko, Sergej, Krotkus, Simonas, Heuken, Michael, Beyer, Andreas, Volz, Kerstin
Two-dimensional (2D) materials have received a lot of interest over the past decade. Especially van der Waals (vdW) 2D materials, such as transition metal dichalcogenides (TMDCs), and their heterostructures exhibit semiconducting properties that make
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.06029
Autor:
Barth, Isabel, Deckart, Manuel, Conteduca, Donato, Arruda, Guilherme S, Hayran, Zeki, Pasko, Sergej, Krotkus, Simonas, Heuken, Michael, Monticone, Francesco, Krauss, Thomas F, Martins, Emiliano R, Wang, Yue
Semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) have gained significant attention as a gain medium for nanolasers, owing to their unique ability to be easily placed and stacked on virtually any substrate. However, the atomically thin nature of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.11654
Autor:
Dosenovic, Djordje, Dechamps, Samuel, Vergnaud, Celine, Pasko, Sergej, Krotkus, Simonas, Heuken, Michael, Genovese, Luigi, Rouviere, Jean-Luc, Hertog, Martien den, Van-Jodin, Lucie Le, Jamet, Matthieu, Marty, Alain, Okuno, Hanako
Epitaxial growth has become a promising route to achieve highly crystalline continuous two-dimensional layers. However, high-quality layer production with expected electrical properties is still challenging due to the defects induced by the coalescen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.05505
Autor:
Tang, Haonan, Pasko, Sergej, Krotkus, Simonas, Anders, Thorsten, Wockel, Cornelia, Mischke, Jan, Wang, Xiaochen, Conran, Ben, McAleese, Clifford, Teo, Ken, Banerjee, Sreetama, Silva, Henry Medina, Morin, Pierre, Asselberghs, Inge, Ghiami, Amir, Grundmann, Annika, Tang, Songyao, Fiadziushkin, Hleb, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei, El Kazzi, Salim, Marty, Alain, Dosenovic, Djordje, Okuno, Hanako, Le Van-Jodin, Lucie, Heuken, Michael
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 April 2023 608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Brunet, Paul, Sharma, Kshipra, David-Vifflantzeff, Julien, Ligaud, Clotilde, Okuno, Hanako, Krothus, Simonas, Pasko, Sergej, Wang, Xiaochen, Conran, Ben, Le Van-Jodin, Lucie
Publikováno v:
Graphene2022-The 12th edition of Graphene Conference series
Graphene2022-The 12th edition of Graphene Conference series, Jul 2022, Aachen, Germany
Graphene2022-The 12th edition of Graphene Conference series, Jul 2022, Aachen, Germany
International audience; 2D materials have attracted a lot of attention since the last decade due to their unique properties especially in the microelectronics field [1]. However thermal budgets engaged for the synthesis of high quality 2D materials a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::5cee3b4fe4c2737c15155161ce1c0570
https://cea.hal.science/cea-03885866/file/graphene2022_Abstract-Paul_Brunet.pdf
https://cea.hal.science/cea-03885866/file/graphene2022_Abstract-Paul_Brunet.pdf