Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Pashartis, C."'
Publikováno v:
Computational Materials Science 242, 113042, 2024
Advancements in modern semiconductor devices increasingly depend on the utilization of amorphous materials and the reduction of material thickness, pushing the boundaries of their physical capabilities. The mechanical properties of these thin layers
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.19873
Autor:
Pashartis, C., Rubel, O.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 155209 (2017)
The recent progress in formation of two-dimensional (2D) GaN by a migration-enhanced encapsulated technique opens up new possibilities for group III-V 2D semiconductors with a band gap within the visible energy spectrum. Using first-principles calcul
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1707.04625
Autor:
Pashartis, C., Rubel, O.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 7, 064011 (2017)
Electronic properties of III-V semiconductor alloys are examined using first principles with the focus on the spatial localization of electronic states. We compare localization at the band edges due to various isovalent impurities in a host GaAs incl
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.08218
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.