Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Pashaev, Elkhan"'
Autor:
Averyanov, Dmitry V., Tokmachev, Andrey M., Likhachev, Igor A., Lobanovich, Eduard F., Parfenov, Oleg E., Pashaev, Elkhan M., Sadofyev, Yuri G., Subbotin, Ilia A., Yakunin, Sergey N., Storchak, Vyacheslav G.
Ferromagnetic semiconductor europium monoxide (EuO) is believed to be an effective spin injector when directly integrated with silicon. Injection through spin-selective ohmic contact requires superb structural quality of the interface EuO/Si. Recent
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.08603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andreeva, Marina, Baulin, Roman, Nosov, Aleksandr, Gribov, Igor, Izyurov, Vladimir, Kondratev, Oleg, Subbotin, Ilia, Pashaev, Elkhan
Publikováno v:
Magnetism (2673-8724); Dec2022, Vol. 2 Issue 4, p328-339, 12p
Autor:
de Souza, Daniele, Alhassan, Sultan, Alotaibi, Saud, Alhassni, Amra, Almunyif, Amjad, Kazakov, Igor P., Klekovkin, Alex Vladimirovich, Zinov'ev, Sergey A., Likhachev, Igor, Pashaev, Elkhan, Souto, Sergio, Galvao Gobato, Y., Galeti, Helder V.A., Henini, Mohamed
In this paper, we report on the structural and optical properties of n-type Si-doped and p-type Be-doped GaAs(1?x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates with nominal Bi content x=5.4%. Similar samples without Bi were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::07360ec699cc5c4ee3ca868a441ec4d6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
De Souza, Daniele, Alhassan, Sultan, Alotaibi, Saud, Alhassni, Amra, Almunyif, Amjad, Albalawi, Hind, Kazakov, Igor P, Klekovkin, Alexey V, ZinovEv, Sergey A, Likhachev, Igor A, Pashaev, Elkhan M, Souto, Sergio, Gobato, Yara Galvăo, Galeti, Helder Vinicius Avanço, Henini, Mohamed
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Jul2021, Vol. 36 Issue 7, p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rzaev, Murvetali M., Kazakov, Igor P., Kozlovski, Vladimir I., Skasyrsky, Yan K., Onishchenko, Evgeny E., Schäffler, Friedrich, Hesser, Gunter, Pashaev, Elkhan M., Soubbotin, Ilia A.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Mar2006, Vol. 3 Issue 3, p536-539, 4p