Zobrazeno 1 - 10
of 118
pro vyhledávání: '"Pashaev, E."'
Autor:
Antropov, N. O., Kravtsov, E. A., Makarova, M. V., Proglyado, V. V., Keller, T., Subbotin, I. A., Pashaev, E. M., Prutskov, G. V., Vasiliev, A. L., Chesnokov, Yu. M., Bebenin, N. G., Ustinov, V. V., Keimer, B., Khaydukov, Yu. N.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 104, 054414 (2021)
Spin-flop transition (SFT) consists in a jump-like reversal of antiferromagnetic magnetic moments into a non-collinear state when the magnetic field increases above the critical value. Potentially the SFT can be utilized in many applications of a rap
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.06155
Autor:
Nikolaev, S. N., Semisalova, A. S., Rylkov, V. V., Tugushev, V. V., Zenkevich, A. V., Vasiliev, A. L., Pashaev, E. M., Chernoglazov, K. Yu., Chesnokov, Yu. M., Likhachev, I. A., Perov, N. S., Matveyev, Yu. A., Novodvorskii, O. A., Kulatov, E. T., Bugaev, A. S., Wang, Y., Zhou, S.
We present the results of a comprehensive study of magnetic, magneto-transport and structural properties of nonstoichiometric MnxSi1-x (x=0.51-0.52) films grown by the Pulsed Laser Deposition (PLD) technique onto Al2O3(0001) single crystal substrates
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1510.02257
Autor:
Subbotin, Ilia A., Pashaev, E. M., Dubinin, Stanislav S., Izyurov, Vladimir V., Belyaeva, Anna O., Kondratiev, Oleg A., Merencova, Kristina A., Artemiev, Mikhail S., Nosov, Aleksandr P.
Publikováno v:
Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering & Materials; Aug2024, Vol. 80 Issue 4, p340-346, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yakunin, S. N., Makhotkin, I. A., Chuev, M. A., Pashaev, E. M., Zoethout, E., Louis, E., van de Kruijs, R. W. E., Seregin, S. Yu., Subbotin, I. A., Novikov, D. V., Bijkerk, F., Kovalchuk, M. V.
We present a model independent approach for the reconstruction of the atomic concentration profile in a nanoscale layered structure, as measured using the X-ray fluorescence yield modulated by an X-ray standing wave (XSW). The approach is based on th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.3133
Autor:
Pankov, M. A., Aronzon, B. A., Rylkov, V. V., Davydov, A. B., Tugushev, V. V., Caprara, S., Likhachev, I. A., Pashaev, E. M., Chuev, M. A., Lähderanta, E., Vedeneev, A. S., Bugaev, A. S.
Transport properties of GaAs/{\delta}/GaAs/In\timesGa1-\timesAs/GaAs structures containing InxGa1-xAs (\times {\approx} 0.2) quantum well (QW) and Mn delta layer (DL) with relatively high, about one Mn monolayer (ML) content, are studied. In thes
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.1915
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aronzon, B. A., Kovalchuk, M. V., Pashaev, E. M., Chuev, M. A., Kvardakov, V. V., Subbotin, I. A., Rylkov, V. V., Pankov, M. A., Lagutin, A. S., Zvonkov, B. N., Danilov, Yu. A., Vihrova, O. V., Lashkul, A. V., Laiho, R.
We report results of investigations of structural and transport properties of GaAs/Ga(1-x)In(x)As/GaAs quantum wells (QWs) having a 0.5-1.8 ML thick Mn layer, separated from the QW by a 3 nm thick spacer. The structure has hole mobility of about 2000
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0708.0056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.