Zobrazeno 1 - 10
of 334
pro vyhledávání: '"Parvais, B"'
Autor:
Agopian, P.G.D., Carmo, G.J., Martino, J.A., Simoen, E., Peralagu, U., Parvais, B., Waldron, N., Collaert, N.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2021 185
Autor:
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J., Putcha, V., Bury, E., Simicic, M., Chasin, A., Linten, D., Parvais, B., Catthoor, F., Rzepa, G., Waltl, M., Grasser, T.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2018 81:186-194
The defect-centric perspective of device and circuit reliability—From gate oxide defects to circuits
Autor:
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J., Simicic, M., Putcha, V., Bury, E., Cho, M., Degraeve, R., Linten, D., Groeseneken, G., Debacker, P., Parvais, B., Raghavan, P., Catthoor, F., Rzepa, G., Waltl, M., Goes, W., Grasser, T.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2016 125:52-62
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Simoen, E., Hsu, P. C., Takakura, K., Syshchyk, O., Vais, A., Yu, H., Parvais, B., Collaert, N., Claeys, C.
Publikováno v:
ECS Transactions. 102:53-62
Optimization of heterogeneous epitaxial techniques such as aspect ratio trapping and nano-ridge engineering strongly triggered the commercial breakthrough of III-V on Si devices for a variety of applications in fields like optoelectronics, lighting,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d1c797fd6730ffd4876a17c6dd33198c
https://doi.org/10.1149/10204.0053ecst
https://doi.org/10.1149/10204.0053ecst
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yadav, S., Cardinael, Pieter, Zhao, M., Vondkar, K., Peralagu, U., Alian, A., Rodriguez, R., Khaled, A., Makovejev, S., Ekoga, E., Lederer, Dimitri, Raskin, Jean-Pierre, Parvais, B., Collaert, N.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::e87a2de2d570ebc0876b89790eba1763
https://hdl.handle.net/2078.1/270888
https://hdl.handle.net/2078.1/270888
Autor:
Chiarella, T., Witters, L., Mercha, A., Kerner, C., Rakowski, M., Ortolland, C., Ragnarsson, L.-Å., Parvais, B., De Keersgieter, A., Kubicek, S., Redolfi, A., Vrancken, C., Brus, S., Lauwers, A., Absil, P., Biesemans, S., Hoffmann, T.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2010 54(9):855-860
Autor:
Cardinael, Pieter, Yadav, S., Zhao, M., Rack, Martin, Lederer, Dimitri, Collaert, N., Parvais, B., Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
ESSDERC 2021-IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
The reduction of substrate RF losses and nonlinearities is key to enable high-performance GaN-on-Si HEMT based RF front-end modules. In this paper, the impact of the epitaxial III-N buffer layers on substrate RF losses and harmonic distortion is stud
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fe0e6a27a52977ed12c0bdb9643b6331
https://doi.org/10.1109/essderc53440.2021.9631822
https://doi.org/10.1109/essderc53440.2021.9631822