Zobrazeno 1 - 10 of 62 pro vyhledávání: '"Partin, D. L."'
1
Akademický článek
Effects of buffer layers on the structural and electronic properties of InSb films.
Autor: Weng, X., Rudawski, N. G., Wang, P. T., Goldman, R. S., Partin, D. L., Heremans, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2005, Vol. 97 Issue 4, p043713, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Evolution of structural and electronic properties of highly mismatched InSb films.
Autor: Weng, X., Goldman, R. S., Partin, D. L., Heremans, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/2000, Vol. 88 Issue 11, p6276, 11p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Bismuth- and thallium-doped lead telluride grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Partin, D. L., Thrush, C. M., Simko, S. J., Gaarenstroom, S. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1989, Vol. 66 Issue 12, p6115, 6p, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Ordering and stability of Pb1-xEuxTe alloys.
Autor: Salamanca-Young, L., Partin, D. L., Heremans, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1988, Vol. 63 Issue 5, p1504, 5p, 3 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Lead telluride doped with rare-earth elements.
Autor: Partin, D. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1985, Vol. 57 Issue 6, p1997, 4p, 3 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Stripe geometry lead-telluride diode lasers grown by molecular beam epitaxy.
Autor: Partin, D. L., Majkowski, R. F., Thrush, C. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 3, p678-682, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Deep-level transient spectroscopy studies of Ni- and Zn-diffused vapor-phase-epitaxy n-GaAs.
Autor: Partin, D. L., Chen, J. W., Milnes, A. G., Vassamillet, L. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1979, Vol. 50 Issue 11, p6845-6859, 15p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Negative magnetoresistance in (InSb)... at low temperature.
Autor: Yang, J., Heremans, J., Partin, D. L., Thrush, C.M., Naik, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1998, Vol. 83 Issue 4, p2041, 5p, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Magnetotransport and magneto-optical properties of δ-doped InSb.
Autor: Heremans, J., Partin, D. L., Morelli, D. T., Thrush, C. M., Karczewski, G., Furdyna, J. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1993, Vol. 74 Issue 3, p1793, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Growth and characterization of indium antimonide doped with lead telluride.
Autor: Partin, D. L., Heremans, J., Thrush, C. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1992, Vol. 71 Issue 5, p2328, 5p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje