Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Parsey, J."'
Autor:
Fontserè, A., Pérez-Tomás, A., Godignon, P., Millán, J., De Vleeschouwer, H., M. Parsey, J., Moens, P.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-October 2012 52(9-10):2220-2223
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/1/1990, Vol. 68 Issue 1, p169, 7p
Autor:
Gray, M. L., Parsey, J. M., Ahrens, R. E., Pearton, S. J., Short, K. T., Sargent, L., Blakemore, J. S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/1/1989, Vol. 66 Issue 9, p4176, 5p
Autor:
Gray, M. L., Parsey, J. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/1/1989, Vol. 66 Issue 1, p137, 4p, 2 Charts, 2 Graphs
Autor:
Gray, M. L., Parsey, J. M., Pearton, S. J., Short, K. T., Ahrens, R. E., Sargent, L., Blakemore, J. S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/1/1988, Vol. 64 Issue 3, p1464, 4p, 3 Charts, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/1/1988, Vol. 64 Issue 3, p1468, 4p, 5 Black and White Photographs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/15/1988, Vol. 63 Issue 12, p5689, 5p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p867, 4p, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
An industrial process for 650V rated GaN-on-Si power devices using in-situ SiN as a gate dielectric.
Autor:
Moens, P., Liu, C., Banerjee, A., Vanmeerbeek, P., Coppens, P., Ziad, H., Constant, A., Li, Z., De Vleeschouwer, H., Roig-Guitart, J., Gassot, P., Bauwens, F., De Backer, E., Padmanabhan, B., Salih, A., Parsey, J., Tack, M.
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2014, p374-377, 4p