Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Park, Jae Kwan"'
Publikováno v:
In Annals of Nuclear Energy November 2019 133:723-731
Autor:
An, Byung-Gi, Chang, Young Wook, Kim, Hong-Rae, Lee, Gyeongho, Kang, Min-Jung, Park, Jae-Kwan, Pyun, Jae-Chul
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: B. Chemical 31 December 2015 221:884-890
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Youn Hae-Kwon, Park Jae-Kwan, Yu Byoung-Sun, Kim Myung-Cheol, Ko Han-Mog, Yoo Chang-Bum, Joo Seung-Ho, Seo Hae-Yeol
Publikováno v:
Fire science and engineering. 32:112-121
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f24316f4cd911aadb43d4e983d66964
https://doi.org/10.7731/kifse.2018.32.5.112
https://doi.org/10.7731/kifse.2018.32.5.112
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 59:461-465
In this study, a 3x-nm after development inspection (ADI) wafer with focus exposure matrix (FEM) was inspected with both an advanced optical system and an advanced electron beam inspection (EBI) system. We found that EBI system could capture many mor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::75edeafe1c3631e56499bdb53665c4a4
https://doi.org/10.3938/jkps.59.461
https://doi.org/10.3938/jkps.59.461
Autor:
Kim, Hyoung-Sub, Donguk Choi, Lee, Sang-Hoon, Lee, Seung-Kuk, Park, Jae-Kwan, Kim, Ki-Nam, Park, Jong-Woo
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Refresh characteristics in SOI-DRAMs are discussed. Compared with bulk-Si DRAMs, excellent static refresh characteristics in SOI-DRAMs were obtained, owing to the inherently reduced junction area. Inferior dynamic refresh characteristics in SOI-DRAMs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::07779c0bb15207a178821e3bb8883e71
https://doi.org/10.1109/vlsit.1996.507819
https://doi.org/10.1109/vlsit.1996.507819
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tanaka, Tomoharu, Helm, Mark, Vali, Tommaso, Ghodsi, Ramin, Kawai, Koichi, Park, Jae-Kwan, Yamada, Shigekazu, Pan, Feng, Einaga, Yuichi, Ghalam, Ali, Tanzawa, Toru, Guo, Jason, Ichikawa, Takaaki, Yu, Erwin, Tamada, Satoru, Manabe, Tetsuji, Kishimoto, Jiro, Oikawa, Yoko, Takashima, Yasuhiro, Kuge, Hidehiko
Publikováno v:
2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC); 1/1/2016, p142-144, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.