Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"Papworth, A. J."'
Autor:
Alexandrou, I., Scheibe, H. -J., Kiely, C. J., Papworth, A. J., Amaratunga, G. A. J., Schultrich, B.
Laser-Arc evaporation of a graphite target has been used to deposit carbon films that exhibit high hardness (45 GPa) and elastic recovery (85%). High Resolution Electron Microscopy (HREM) and Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS) were subsequently
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9905130
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Catalysis 2011 278(2):228-238
Publikováno v:
In Journal of Catalysis 2010 269(1):93-102
Publikováno v:
PLoS ONE. 7/1/2016, Vol. 11 Issue 7, p1-26. 26p.
Publikováno v:
In Scripta Materialia 2003 48(9):1301-1305
Publikováno v:
In Ultramicroscopy 2001 88(4):265-274
Autor:
Cullis, A. G., Hutchison, J. L., Gass, M. H., Sanchez, A. M., Papworth, A. J., Bullough, T. J., Beanland, R., Chalker, P. R.
Publikováno v:
Microscopy of Semiconducting Materials; 2005, p491-494, 4p
Autor:
Cullis, A. G., Hutchison, J. L., Sánchez, A. M., Gass, M. H., Papworth, A. J., Beanland, R., Drouot, V., Goodhew, P. J.
Publikováno v:
Microscopy of Semiconducting Materials; 2005, p259-262, 4p
Autor:
Cullis, A. G., Hutchison, J. L., Beanland, R., Sánchez, A. M., Papworth, A. J., Gass, M. H., Goodhew, P. J.
Publikováno v:
Microscopy of Semiconducting Materials; 2005, p163-166, 4p