Zobrazeno 1 - 10 of 73 pro vyhledávání: '"Papaioannou, G. J."'
1
Akademický článek
Drain current overshoot transient in polycrystalline silicon transistors: The effect of hole generation mechanism.
Autor: Exarchos, M., Papaioannou, G. J., Kouvatsos, D. N., Voutsas, A. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/2006, Vol. 99 Issue 2, p024511, 7p, 1 Black and White Photograph, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Characterization of the buried oxide in SOI structures by a rate window method.
Autor: Ioannou-Sougleridis, V., Papaioannou, G. J., Dimitrakis, P., Cristoloveanu, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1993, Vol. 74 Issue 5, p3298, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
A study of the gain and noise mechanisms in GaAs planar photoconductive detectors.
Autor: Papaioannou, G. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1992, Vol. 72 Issue 11, p5269, 8p, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Recombination mechanism and carrier lifetimes of semi-insulating GaAs:Cr.
Autor: Papastamatiou, M. J., Papaioannou, G. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1990, Vol. 68 Issue 3, p1094, 5p, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Influence of illumination intensity on negative photoconductivity of Si ion-implanted GaAs:Cr.
Autor: Papaioannou, G. J., Nowak, M., Euthymiou, P. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1989, Vol. 65 Issue 12, p4864, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electrical properties of buried oxide–silicon interface.
Autor: Dimitrakis, P., Papaioannou, G. J., Cristoloveanu, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1996, Vol. 80 Issue 3, p1605, 6p, 1 Diagram, 2 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
He ion radiation effects in high electron mobility transistors.
Autor: Papaioannou, G. J., Papastamatiou, M. J., Christou, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1995, Vol. 78 Issue 5, p3066, 11p, 2 Charts, 11 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
On the influence of environment gases, relative humidity and gas purification on dielectric charging/discharging processes in electrostatically driven MEMS/NEMS devices
Autor: Zaghloul, U. Bhushan, B. Pons, P. Papaioannou, G. J. and Coccetti, F. Plana, R.
In this paper, we investigate the impact of environment gases and relative humidity on dielectric charging phenomenon in electrostatically actuated micro- and nano-electromechanical systems (MEMS and NEMS). The research is based on surface potential
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::998fa3b13f349969838e157284201333
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3148453
Zobrazit plný text záznamu
10
Width dependent degradation of polycrystalline silicon TFTs
Autor: Kontogiannopoulos, G. P. Farmakis, F. V. Kouvatsos, D. N. and Papaioannou, G. J. Voutsas, A. T.
The DC stress induced device degradation of sequential lateral solidification (SLS) polysilicon thin film transistors (TFTs) was investigated by monitoring the threshold voltage in the linear regime of operation. Devices with different channel widths
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::993bc8c1eaf176e8403a5fcfaa28d591
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3137417
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje