Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Pansegrau, C."'
Autor:
Jesenovec, J., Pansegrau, C., McCluskey, M. D., McCloy, J. S., Gustafson, T. D., Halliburton, L. E., Varley, J. B.
Beta-Ga2O3 is an ultra-wide bandgap semiconductor with emerging applications in power electronics. The introduction of acceptor dopants yields semi-insulating substrates necessary for thin-film devices. In the present work, exposure of Cu-doped Ga2O3
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2201.01861
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jesenovec, J.1,2, Pansegrau, C.3, McCluskey, M. D.1,3 mattmcc@wsu.edu, McCloy, J. S.1,2, Gustafson, T. D.4, Halliburton, L. E.5, Varley, J. B.6
Publikováno v:
Physical Review Letters. 2/18/2022, Vol. 128 Issue 7, p1-1. 1p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.