Zobrazeno 1 - 10
of 215
pro vyhledávání: '"Pankratov E.L"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pankratov, E.L., Bulaeva, E.A.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing June 2015 34:260-268
Autor:
Pankratov E.L, Bulaeva E.A
The paper describes an approach of increasing of integration rate of elements of integrated circuits. The approach has been illustrated by example of manufacturing of a circuit XOR. Framework the approach one should manufacture a heterostructure with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::304158d207ed4accbab28aa7bbb6983f
Autor:
Pankratov E.L
We consider an approach for increasing density of field-effect heterotransistors in a single-stage multi-path operational amplifier. At the same time one can obtain decreasing of dimensions of the above transistors. Dimensions of the elements could b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8a82f9555f12f22857fc18f83d95c97d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pankratov, E.L.
Publikováno v:
International journal of advanced Science and Engineering
International journal of advanced Science and Engineering, Mahendra Publications, 2021, 7 (4), ⟨10.29294/IJASE.7.4.2021.1912-1935⟩
International journal of advanced Science and Engineering, Mahendra Publications, 2021, 7 (4), ⟨10.29294/IJASE.7.4.2021.1912-1935⟩
International audience; In this paper, we introduce an approach to increase density of field-effect transistors framework instrumentation amplifier input bias circuitry. Framework the approach, we consider the manufacturing of inverter in heterostruc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9f657521ecffceeb4ae20016d3fb0891
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03261284
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03261284