Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "Pan-Gum Jung"
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 10 of 12 pro vyhledávání: '"Pan-Gum Jung"'
1
Akademický článek
Effect of Gate Dielectric Material on the Electrical Properties of MoSe2-Based Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor
Autor: Abdelkader Abderrahmane, Pan-Gum Jung, Changlim Woo, Pil Ju Ko
Publikováno v: Crystals, Vol 12, Iss 9, p 1301 (2022)
In this study, we fabricated metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) based on nanolayered molybdenum diselenide (MoSe2) using two insulator materials, silicon dioxide (SiO2) and silicon nitride (SiN). We performed morphol
Externí odkaz: https://doaj.org/article/ff2029cff93d4ca3a7afc273013e351a
Zobrazit plný text záznamu
2
Dual‐Gate Graphene/h‐BN/GaSe Metal–Insulator–Semiconductor Field‐Effect Transistor (MISFET)
Autor: Abdelkader Abderrahmane, Pan-Gum Jung, Changlim Woo, Pil Ju Ko
Publikováno v: physica status solidi (a). 219:2100818
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dd7f674e94ef6b058ce087ca64872e38
https://doi.org/10.1002/pssa.202100818
Zobrazit plný text záznamu
3
Optoelectronic Characterizations of Two-Dimensional h-BN/MoSe2 Heterostructures Based Photodetector
Autor: Pan-Gum Jung, Nam-Hoon Kim, Pil Ju Ko, A. Abderrahmane, Adarsh Sandhu
Publikováno v: Science of Advanced Materials. 10:627-631
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efd1eeed493f8166ceb7edddf648ebe8
https://doi.org/10.1166/sam.2018.3135
Zobrazit plný text záznamu
4
A Single-Phase Cascaded H-bridge Quasi Switched Boost Inverter for Renewable Energy Sources Applications
Autor: Pan-Gum Jung, Minh-Khai Nguyen, Youn-Ok Choi, Geum-Bae Cho, Van-Thuan Tran
Publikováno v: Journal of Clean Energy Technologie. 6:26-30
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4598c2ffc6a358842e0646fd694d8ebf
https://doi.org/10.18178/jocet.2018.6.1.431
Zobrazit plný text záznamu
5
A Study on the Contact Resistance Improvement in Layered ReSe2 Device by Annealing Process
Autor: Pil-Ju Ko, Lee Dong Jin, Pan Gum Jung
Publikováno v: Journal of Advanced Engineering and Technology. 10:37-41
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b30a6b5f499a1ff4c1e42787521483f
https://doi.org/10.35272/jaet.2017.10.1.37
Zobrazit plný text záznamu
6
Optoelectronic properties of two-dimensional molybdenum diselenide dual-gated MISFET-based photodetector
Autor: Pil Ju Ko, Pan-Gum Jung, Nam-Hoon Kim, Jong-Min Oh, Abdelkader Abderrahmane
Publikováno v: Optik. 224:165427
Two-dimensional (2D) molybdenum diselenide (MoSe2) has potential applications in photodetection. In this study, we examined heterostructures based on Gr/h-BN/MoSe2 top-gated metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) and Si/SiO2
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5f338e01cd4baf1cd1614a6f1aefff1
https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2020.165427
Zobrazit plný text záznamu
7
PWM control method to eliminate Common Mode Voltage in three level T-Type inverters
Autor: Youn-Ok Choi, Vinh-Thanh Tran, Thanh Hai-Quach, Duc-Tri Do, Geum-Bae Cho, Pan-Gum Jung
Publikováno v: IOP Conference Series: Earth and Environmental Science. 307:012004
In this paper, Common-mode voltage (CMV) is responsible for overvoltage stress to the winding insulation and bearing damage of an AC motor. High dv/dt of CMV causes leakage currents, which create noise problems to the equipment installed near the con
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c39021249a81485b7d25efc7cffefaea
https://doi.org/10.1088/1755-1315/307/1/012004
Zobrazit plný text záznamu
8
Gate-tunable optoelectronic properties of a nano-layered GaSe photodetector
Autor: Adarsh Sandhu, A. Abderrahmane, Pan-Gum Jung, Nam-Hoon Kim, Pil Ju Ko
Publikováno v: Optical Materials Express. 7:587
Recently, two-dimensional materials were widely studied as candidates for new generation of photodetectors. In this paper, we reported on the fabrication and the optoelectronic characterizations of p-type gallium selenide (GaSe) back-gated field effe
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac23e997102476ddb38df211932abd15
https://doi.org/10.1364/ome.7.000587
Zobrazit plný text záznamu
9
Polishing damages to electrical properties of BLT thin film capacitors fabricated by damascene process of chemical mechanical polishing
Autor: Woo-Sun Lee, Pan-Gum Jung, Nam-Hoon Kim, Pil-Ju Ko
Publikováno v: 2008 17th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics.
BLT thin film capacitor was fabricated by the novel method of chemical mechanical polishing (CMP) process. The electrical characteristics including P-V and I-V of BLT capacitor were damaged by the polishing pressure which is one of the main factors t
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a213e94532325949a0b4a82dec5f8b6f
https://doi.org/10.1109/isaf.2008.4693730
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
PWM control method to eliminate Common Mode Voltage in three level T-Type inverters.
Autor: Vinh-Thanh Tran, Thanh Hai-Quach, Duc-Tri Do, Youn-Ok Choi, Pan-Gum Jung, Geum-Bae Cho
Publikováno v: IOP Conference Series: Earth & Environmental Science; Aug2019, Vol. 307 Issue 1, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
  • 1
  • 2
  • Další »
  • [2]

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 2 Akademické články
  • 1 Konferenční materiály
  • 5 materials science
  • 4 02 engineering and technology
  • 4 business
  • 4 business.industry
  • 3 0210 nano-technology
  • 3 021001 nanoscience & nanotechnology
  • 3 electronic, optical and magnetic materials
  • 3 optoelectronics
  • 3 photodetector
  • 2 01 natural sciences
  • 2 composite material
  • 2 computer science
  • 2 condensed matter physics
  • 2 electrical and electronic engineering
  • 2 general materials science
  • 2 heterojunction
  • 2 law
  • 2 law.invention
  • 2 two-dimensional (2d) materials
  • 1 0103 physical sciences
  • 1 010309 optics
  • 1 0104 chemical sciences
  • 1 010402 general chemistry
  • 1 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering
  • 1 020208 electrical & electronic engineering
  • 1 0205 materials engineering
  • 1 020502 materials
  • 1 annealing (metallurgy)
  • 1 atomic and molecular physics, and optics
  • 1 capacitor
  • 1 chemical process
  • 1 chemical-mechanical planarization
  • 1 chemistry
  • 1 chemistry.chemical_compound
  • 1 common-mode signal
  • 1 contact resistance
  • 1 control methods
  • 1 control theory
  • 1 copper interconnect
  • 1 crystallography
  • 1 electrical engineering
  • 1 electron
  • 1 fabrication
  • 1 ferroelectric capacitor
  • 1 field-effect transistor
  • 1 general chemical engineering
  • 1 h bridge
  • 1 inorganic chemistry
  • 1 ion
  • 1 materials chemistry
  • 2 ieee
  • 2 iop publishing
  • 1 american scientific publishers
  • 1 ejournal publishing
  • 1 elsevier bv
  • 1 mdpi ag
  • 1 multidisciplinary digital publishing institute
  • 1 the optical society
  • 1 the research institute of advanced engineering technology - chosun university
  • 1 wiley
  • 2 2008 17th ieee international symposium on the applications of ferroelectrics
  • 1 crystals
  • 1 iop conference series: earth & environmental science
  • 1 iop conference series: earth and environmental science
  • 1 journal of advanced engineering and technology
  • 1 optical materials express
  • 1 optik
  • 1 physica status solidi (a)
  • 1 science of advanced materials
  • 9 OpenAIRE
  • 2 Complementary Index
  • 1 Directory of Open Access Journals

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......