Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"Pakes, Christopher I."'
Autor:
Sung, Yi-Ying, Oberg, Lachlan, Griffin, Rebecca, Schenk, Alex K., Chandler, Henry, Gallo, Santiago Corujeira, Stacey, Alastair, Sergeieva, Tetiana, Doherty, Marcus W., Weber, Cedric, Pakes, Christopher I.
Near-surface nitrogen-vacancy centres are critical to many diamond-based quantum technologies such as information processors and nanosensors. Surface defects play an important role in the design and performance of these devices. The targeted creation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.19140
Autor:
Yianni, Steve A., Creedon, Daniel L., Schenk, Alex K., Xing, Kaijian, Akhgar, Golrokh, Hoxley, David I., Ley, Lothar, McCallum, Jeffrey C., Pakes, Christopher I.
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials June 2021 116
Autor:
Xing, Kaijian, Zhang, Sa, Tsai, Alexander, Xiao, Haiyan, Creedon, Daniel L., Yianni, Steve A., McCallum, Jeffrey C., Pakes, Christopher I., Qi, Dong-Chen
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials October 2020 108
Autor:
Xing, Kaijian, Creedon, Daniel L., Yianni, Steve A., Akhgar, Golrokh, Zhang, Lei, Ley, Lothar, McCallum, Jeffrey C., Qi, Dong-Chen, Pakes, Christopher I.
Publikováno v:
In Carbon 30 August 2020 164:244-250
Autor:
Edmonds, Mark T., van Beveren, Laurens H. Willems, Ganesan, Kumar, Eikenberg, Nina, Cervenka, Jiri, Prawer, Steven, Ley, Lothar, Hamilton, Alex R., Pakes, Christopher I.
Magneto-transport measurements were performed on surface conducting hydrogen-terminated diamond (100) hall bars at temperatures between 0.1-5 K in magnetic fields up to 8T.
Comment: 2 pages Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices
Comment: 2 pages Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.4796
Publikováno v:
Supercond. Sci. Technol. 22 (2009) 064006
Focused ion beam (FIB) technology has been used to fabricate miniature Nb DC SQUIDs which incorporate resistively-shunted microbridge junctions and a central loop with a hole diameter ranging from 1058 nm to 50 nm. The smallest device, with a 50 nm h
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1003.5436
Autor:
Smets, Yaou, Rietwyk, Kevin J., Fingerle, Mathias, Schmitt, Felix, Lach, Stefan, Ley, Lothar, Ziegler, Christiane, Pakes, Christopher I.
Publikováno v:
In Organic Electronics February 2014 15(2):531-536
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.