Zobrazeno 1 - 10 of 107 pro vyhledávání: '"Paisley, M. J."'
1
Akademický článek
Spheroid 3C inclusions in 8° off-axis 4H-SiC epilayers grown by chemical vapor deposition.
Autor: Zhang, X., Li, L., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun2009, Vol. 105 Issue 12, p123529-1-123529-5, 5p, 3 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Glide and multiplication of basal plane dislocations during 4H-SiC homoepitaxy.
Autor: Zhang, X., Skowronski, M., Liu, K. X., Stahlbush, R. E., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2007, Vol. 102 Issue 9, p093520, 8p, 8 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Morphology of basal plane dislocations in 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition.
Autor: Zhang, X., Ha, S., Hanlumnyang, Y., Chou, C. H., Rodriguez, V., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/2007, Vol. 101 Issue 5, p053517-N.Pag, 8p, 9 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Doping-induced strain and relaxation of Al-doped 4H-SiC homoepitaxial layers.
Autor: Huh, S. W., Chung, H. J., Benamara, M., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2004, Vol. 96 Issue 8, p4637-4641, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Conference
Characterization of Thick 4H-SiC Hot-Wall CVD Layers.
Autor: Paisley, M. J., Irvine, K. G., Kordina, O., Singh, R., Palmour, J. W., Carter, C. H.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1999, Vol. 572 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
5.5 kV Bipolar Diodes From High Quality CVD 411-SiC.
Autor: Irvine, K.G., Singh, R., Paisley, M. J., Palmour, J. W., Kordina, O., Carter, C. H.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1998, Vol. 512 Issue 1, p119-124, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Growth of AlN/GaN layered structures by gas source molecular-beam epitaxy.
Autor: Sitar, Z., Paisley, M. J., Yan, B., Ruan, J., Choyke, W. J., Davis, R. F.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 2, p316-322, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Growth of boron nitride films by gas molecular-beam epitaxy.
Autor: Paisley, M. J., Sitar, Z., Yan, Benda, Davis, R. F.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 2, p323-326, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Photoassisted growth of gallium nitride by gas source molecular beam epitaxy.
Autor: Paisley, M. J., Davis, R. F.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1993, Vol. 11 Issue 1, p18-24, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje