Zobrazeno 1 - 10
of 178
pro vyhledávání: '"Padilla, J.L"'
Autor:
Navarro, C., Donetti, L., Padilla, J.L., Medina-Bailon, C., Galdon, J.C., Marquez, C., Sampedro, C., Gamiz, F.
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2023 200
Autor:
Donetti, L., Marquez, C., Navarro, C., Medina-Bailon, C., Padilla, J.L., Sampedro, C., Gamiz, F.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2022 197
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Autor:
Navarro, C., Donetti, L., Padilla, J.L, Medina, C., Ávila, J., Galdón, J.C., Recio, M., Márquez, C., Sampedro, C., Gámiz, F.
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2015 113:167-172
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Medina-Bailon, C., Sampedro, C., Padilla, J.L., Godoy, A., Donetti, L., Gamiz, F., Sadi, T., Georgiev, V., Asenov, A.
The reduction of the critical dimensions of transistor architectures makes mandatory the inclusion of quantum effects different than standard confinement becomes in advanced device simulators to describe the electrical behavior. In particular, direct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bfa08537157300f8a93475d082d11de8
https://eprints.gla.ac.uk/155435/1/155435.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/155435/1/155435.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.