Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"PMOS degradation"'
Publikováno v:
2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS)
2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩
2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩
2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩
2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩
International audience; Reliability simulation is an area of increasing interest as it allows the design of circuits that are both reliable and optimized for circuit performance by transient device degradation calculations. In this paper, Hot Carrier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::30ca46da6029982430555eb1fa73a0dd
https://normandie-univ.hal.science/hal-02184712
https://normandie-univ.hal.science/hal-02184712
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bin Zhang, Michael Orshansky
Publikováno v:
ISQED
Negative bias temperature instability (NBTI) is one of the primary limiters of reliability lifetime in nano-scale integrated circuits. NBTI manifests itself in a gradual increase in the magnitude of PMOS threshold voltage, resulting in the degradatio
Publikováno v:
28th Annual Proceedings on Reliability Physics Symposium.
Systematic measurements of gate current decrease and total gate current fluence performed on buried channel PMOS transistors of different technologies during aging are discussed. Correlations with usual parameter shifts are presented, allowing origin
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 Annual Reliability & Maintainability Symposium (RAMS); 2016, p1-7, 7p
Publikováno v:
28th Annual Proceedings on Reliability Physics Symposium; 1990, p270-275, 6p
Autor:
Jun Yuan, Victor Chan, Rovedo, Nivo, Sardesai, Viraj, Kanike, Narasimhulu, Varadarajan, Vidya, Mickey Yu, Jong Ho Yang, Y. K. Jeong, O. Sung Kwon, Belyansky, Michael P., Eller, Manfred, Yong Meng Lee, Cave, Nigel, Huiling Shang, Ying Li, Divakaruni, Rama
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Sep2009, Vol. 30 Issue 9, p916-918, 3p, 5 Graphs