Identification of power PIN diode design parameters: Circuit and device-based simulation approach

Autor: Mohammed M. El-Banna, Ahmed Shaker, Mohamed Abouelatta, Gihan T. Sayah, Marwa S. Salem, Abdelhalim Zekry

Publikováno v: Ain Shams Engineering Journal, Vol 12, Iss 3, Pp 3141-3155 (2021)

This paper aims to present a detailed systematic approach to identify the main design parameters of PIN power diodes. Firstly, the diode physical parameters are initialized using simple analytical equations. The second phase is the optimization of th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f1539267ef7b23cd902510c559e0d631
https://doi.org/10.1016/j.asej.2021.02.005

Approche de modélisation distribuée appliquée aux composants semi-conducteurs bipolaires de puissance en VHDL-AMS. Application à la diode PIN de puissance et à l'IGBT

Autor: Hneine, Adnan

Publikováno v: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2012. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2012. Français. ⟨NNT : ⟩

The distributed modeling approach of power bipolar devices implemented compactly by solving the ambipolar diffusion equation in the form of a Fourier series decomposition achieve an excellent compromise between accuray of results/simulation time. The

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a1734a8e101bf14fbe1b67b54be448df
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00735553/document

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