Výsledky vyhledávání - "PHENOMENE LATCHUP"

Étude par simulation TCAD des effets design et température d'un inverseur CMOS sur la sensibilité Latchup

Autor: Al Youssef, Ahmad, Artola, Laurent, Ducret, Samuel, Hubert, Guillaume, Perrier, Franck

Publikováno v: JNRDM 2016
JNRDM 2016, May 2016, TOULOUSE, France

International audience; Ces travaux présentent une étude par simulation composant des caractéristiques électriques d'un inverseur CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) vis à vis du phénomène Latchup (SEL) en utilisant le simulateur TC

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01442088

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