Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"PCB layout"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 117215-117224 (2022)
Among the wide-bandgap devices, gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) are contributing to the high power density technology of power conversion systems due to their excellent physical properties. In contrast, the driving volt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c62074775f548b8a92478ad81b9a168
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 149870-149882 (2021)
This paper proposes an optimization approach for an automatic buck converter printed circuit board (PCB) design regarding the electromagnetic compatibility (EMC) constraints. The proposed solution is based on the combination of a genetic algorithm (G
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/94b84baf80fa4d299e93d2794b19b63c
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 171395-171404 (2019)
Magnetic coupled resonance wireless power transfer system has the advantages of long transfer distance and high efficiency. However, it needs a high-frequency AC power, and the influence of the circuit parasitic elements at high frequency cannot be i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e3ecf21f467142faa19dded9fca58ee4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics; Volume 12; Issue 8; Pages: 1779
Wide bandgap (WBG) power semiconductors can achieve high efficiency and power density due to their low on-resistance and fast switching speeds. However, the fast-switching speed induces voltage to the parasitic inductance in the circuit, causing a si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3906681042cdf015542ab364a00d33a3
Publikováno v:
Global Journal of Engineering and Technology Advances. 11:013-024
Increment in the number of accidents in the workshops and due to the problems caused by the production of the complex part by traditional machining such as lack of quality and the need of plenty time for the production process and with the advancemen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5a594cd70d84c9945037b8d2c066af7f
https://doi.org/10.30574/gjeta.2022.11.2.0078
https://doi.org/10.30574/gjeta.2022.11.2.0078
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 5, p 1495 (2021)
Due to the high switching speed of Gallium Nitride (GaN) transistors, parasitic inductances have significant impacts on power losses and electromagnetic interferences (EMI) in GaN-based power converters. Thus, the proper design of high-frequency conv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d968d7e3f59e402c9f3311bf1d000a6a