Anomalous Photoresponse of Heavily Doped GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains

Autor: Altukhov, I. V., Dizhur, S. E., Kagan, M. S., Khvalkovskiy, N. A., Paprotskiy, S. K., Vasil'evskii, I. S., Vinichenko, A. N.

The strong effect of weak interband illumination on tunneling transport in doped GaAs/AlAs superlattices was found under conditions of electric domain formation. The photoresponse at voltages below the threshold one (before the domain formation) did

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2111.02739

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vertical transport in InAs/AlSb superlattices

Autor: S.Kagan, M., Altukhov, I. V., Baranov, A. N., Il’inskaya, N. D., Paprotskiy, S. K., Sinis, V. P., Usikova, A. A.

Publikováno v: 18th Int. Symposyum “Nanostructures: Physics and Technology”
18th Int. Symposyum “Nanostructures: Physics and Technology”, 2010, St Petersburg, Russia

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::74d0a370de003e1eebbb6bd789ba1a96
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01831085

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.