Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"P.Y Park"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P.Y. Park, K. P. Lee, Byoung-Seong Jeong, V. Shishodia, David P. Norton, K.H. Baik, Stephen J. Pearton, S. Norasetthekul, J.H. Shin
Publikováno v:
Applied Surface Science. 187:75-81
The etch rates and mechanisms for HfO2 thin films in Cl2-, SF6- or CH4/H2-based plasmas were measured as a function of source power, r.f. chuck power and discharge composition. Both Cl2- and SF6-based plasmas produced some degree of chemical enhancem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8eefe8283b3c5fdb3a0b26def869765f
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00792-9
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00792-9
Autor:
Byoung-Seong Jeong, V. Shishodia, K.H. Baik, J.H. Shin, David P. Norton, P.Y. Park, S. Norasetthekul, K. P. Lee, Eric Lambers, Steve Pearton
Publikováno v:
Applied Surface Science. 185:27-33
Several different plasma chemistries were investigated for dry etching of TiO 2 thin films. Fluorine-based discharges produced the fastest etch rates (∼2000 A min −1 ) and selectivities >1 for Si over TiO 2 . Chlorine-based discharges also showed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::677765d354e1137dd06792c25d16f275
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00562-1
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00562-1
Autor:
C. R. Abernathy, K. P. Lee, Eric Lambers, Fan Ren, Brent P. Gila, J.H. Shin, Steve Pearton, K.H. Baik, P.Y. Park, S. Norasetthekul
Publikováno v:
Applied Surface Science. 185:52-59
Wet chemical and plasma etch processes were developed for pattering of Sc2O3 films on GaN. Chlorine-based plasma chemistries produced a significant chemical enhancement of removal rate over pure Ar sputtering. The etching was anisotropic and did not
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d679a4556144a0c1cc1e22a6a3dffa8a
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00593-1
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00593-1
Autor:
C. R. Abernathy, K.H. Baik, S. J. Pearton, Fan Ren, W.S. Hobson, B. Luo, P.Y. Park, K.P. Lee, J.H. Shin
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 45:2093-2096
Thin (200 A) layers of SiO2 were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition onto GaN and InGaP patterned with transmission line measurement contact pads. The sheet resistance of n-GaN and n- and p-InGaP was measured as a function of N2O/S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa6649c8eaf423326a66ffdeae66f388
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00205-2
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00205-2
Autor:
Brent P. Gila, Fan Ren, C. R. Abernathy, K.H. Baik, Stephen J. Pearton, S. Norasetthekul, J.H. Shin, P.Y. Park, B. Luo, Eric Lambers
Publikováno v:
Applied Surface Science. 183:26-32
Fluorine, chlorine, and methane/hydrogen plasma chemistries were investigated for dry etching of thin film MgO, intended for gate dielectric formation on GaN. The chlorine-based chemistry produced much higher etch rates than the other two mixtures, c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f474dee7f54b1edfd2e7eefb78581f3c
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00542-6
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00542-6