Zobrazeno 1 - 10
of 176
pro vyhledávání: '"P.W. Mason"'
Publikováno v:
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual.
Advanced integrated circuit has thermal energy removal issue due to heat dissipated by current at the drain junction of MOSFET. This is a problem only when millions of transistors are generating the thermal energy. In sub-100nm CMOS technology where
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50923b8b867cbda23fc39c471d9ac380
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369902
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369902
Publikováno v:
Developmental and comparative immunology. 32(3)
Lutzomyia longipalpis is the principal vector of visceral leishmaniasis in the Americas, and can also transmit some viruses. To help develop a gene-silencing system for this sandfly, we transfected cultured embryonic cells with various double-strande
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f28dc8e5861f3377578d2043e5fb886a
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/17706772
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/17706772
Publikováno v:
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings.
We present a comprehensive methodology for modeling, as a function of time, increased standby leakage current of VLSI circuits due to soft-breakdown. Predictions, using a post-soft-breakdown leakage-scaling model and device-level time-dependent diele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78a3015abf3af2648ad03d44dafd2d9d
https://doi.org/10.1109/relphy.2004.1315366
https://doi.org/10.1109/relphy.2004.1315366
Publikováno v:
1999 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (Cat. No. 99TH8460).
Jramp test and high-field constant voltage stress test are evaluated for both quick reliability assessment and in-line production monitoring. Although the conducting mechanism for both tests are at the Fowler-Nordheim tunneling regime, high-field con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7574679c32d43eaecb02ec8e531c73a
https://doi.org/10.1109/irws.1999.830568
https://doi.org/10.1109/irws.1999.830568
Publikováno v:
2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104).
To monitor plasma charging damage, it is common to use extremely large antenna ratio (AR) testers to improve sensitivity. Calculating how the measured damage to these large AR testers impacts product is a serious issue that has not yet been resolved.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b32ec7211d885be3de66527308d7db47
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852784
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852784
Publikováno v:
2000 5th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.00TH8479).
We report a direct correlation between gate oxide damage measured on antenna testers and yield loss as well as reliability degradation on production chips. The relationship between the magnitude of the yield loss and the reliability failure is explor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86f98766eff35bac31b510a45b9eace4
https://doi.org/10.1109/ppid.2000.870560
https://doi.org/10.1109/ppid.2000.870560
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.