Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"P.T. Hoban"'
Publikováno v:
EPE Journal. 8:11-18
SummaryIn this paper, both experimetal and simulation results, showing the effects of Junction temperature, forward current and the rate of fall of forward current, or commutating di/dt on the reverse recoveyr behaviour of modern fast power diodes ar
Publikováno v:
Proceedings of the 4th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics.
Publikováno v:
Proceedings of 5th International Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives.
The gate turn-off thyristor (GTO) can be destroyed during turn-off if an excessively high dV/dt is applied across the device. To protect against this failure mechanism, a snubber network is normally used in GTO circuits. The design of such snubber ne
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2005 IEEE 36th Power Electronics Specialists Conference; 2005, p2042-2048, 7p