Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"P.P. Stoppino"'
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE. 97:141-147
This paper describes the procedure and the software process to verify the feasibility of a system in package. The process has been created to guarantee and ensure the main characteristics of such devices: a minimum time-to-market and great flexibilit
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs. 54:102-106
In a multichip module, the parasitic elements of the interconnections influence the performance of the devices enclosed in the package. Phenomena such as ground bounce, cross-talk, propagation delay, and over/undershoot will degrade the data signal i
Autor:
Paolo Pulici, Aldo Losavio, T. Lessio, G. Candela, M. Dellutri, G.P. Vanalli, F. lo Iacono, Giovanni Campardo, D. Guarnaccia, P.P. Stoppino
Publikováno v:
2007 IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects.
The PoP (Package on Package) design procedure is described in this paper, focusing principally on the constraints and the system characteristics. The PoP structure is more and more diffused because it increases the customer flexibility and the final
Autor:
Giovanni Campardo, M. Dellutri, A. Tenerello, R. di Stefano, P.P. Stoppino, F. Vassallo, F. lo Iacono, T. Lessio, G. Labriola, D. Guarnaccia, G.P. Vanalli, Paolo Pulici
Publikováno v:
7th. Int. Conf. on Thermal, Mechanical and Multiphysics Simulation and Experiments in Micro-Electronics and Micro-Systems.
The evolution of electronic world is running toward more and more complex devices even looking for a reduction of the overall system dimensions. This improvement is particularly evident in the wireless applications where portable devices are becoming
Autor:
Paolo Pulici, T. Lessio, Giancarlo Ripamonti, P.P. Stoppino, A. Vigilante, G.P. Vanalli, Aldo Losavio, Giovanni Campardo
A NOR Flash memory system, the supply voltage of which can be as low as 1.2 V, is described. The internal memory chip supply voltage (1.8 V) is obtained by means of a DC-DC converter totally included in the same package of the memory. This system rep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cbe23b455bea7ad2da93ec070a9f3335
http://hdl.handle.net/11311/553600
http://hdl.handle.net/11311/553600
Autor:
T. Lessio, A. Vigilante, G.P. Vanalli, Aldo Losavio, Giancarlo Ripamonti, Giovanni Campardo, P.P. Stoppino, Paolo Pulici
Publikováno v:
Electronics Letters. 43:566
A NOR Flash memory fully functional at 1 V is demonstrated, based on an inductor built directly into the package. A ferromagnetic nucleus is wound by means of the bonding wires and the first package substrate metal layer. The magnetic field does not
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.