Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"P.P. Peressini"'
Autor:
James H. Comfort, M.M. Pelella, S.F. Chu, P.T. Nguyen, M.J. Saccamango, Ronald W. Knepper, P.P. Peressini, S. Ratanaphanyarat, S.E. Fischer
Publikováno v:
Proceedings of the 1992 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
The device characteristics and performance leverage of a SiGe epitaxial-base heterojunction bipolar transistor (HBT) are compared to those of an advanced Si double-poly ion-implanted (I/I)-base bipolar junction transistor (BJT) npn structure. In addi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66f1ac92a94076ec63f7e3ac553dc177
https://doi.org/10.1109/bipol.1992.274085
https://doi.org/10.1109/bipol.1992.274085
Autor:
M.J. Saccamango, P.P. Peressini, B. Cunningham, Somnuk Ratanaphanyarat, Ronald W. Knepper, K. DeVries, Lawrence F. Wagner, P. Strugazow, J.L. Snare, S.F. Chu, S.E. Fischer, P.T. Nguyen, Kyong-Min Kim, A. Lucchese
Publikováno v:
Proceedings of the 1992 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Arsenic shadowing, which is an important consideration for the small-emitter effect in bipolar polysilicon-emitter transistors, was simulated using two-dimensional process and device modeling tools. Results are compared with data for conventional and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d0744723f10885c004b7939c8cf8226
https://doi.org/10.1109/bipol.1992.274067
https://doi.org/10.1109/bipol.1992.274067
Publikováno v:
Solid State Communications. 5:xxiii-xxv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::078ef1045dae69f654633a58be2961a8
https://doi.org/10.1016/0038-1098(67)90400-0
https://doi.org/10.1016/0038-1098(67)90400-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.