Zobrazeno 1 - 10
of 131
pro vyhledávání: '"P.N.K. Deenapanray"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface and Interface Analysis. 26:748-757
Samples of epitaxially-grown Si(111) doped to 5 × 10 15 P cm -3 were chemically cleaned using various procedures. The surface morphologies and remaining particulate contamination of the samples were investigated using atomic force microscopy (AFM) a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfc927f6b294d50938e225e2b3ae41a7
https://doi.org/10.1002/(sici)1096-9918(199809)26:10<748::aid-sia424>3.0.co
https://doi.org/10.1002/(sici)1096-9918(199809)26:10<748::aid-sia424>3.0.co
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1322-1326
It is generally assumed that ion beams (IBs) used during channelling experiments create little damage when incident along a direction of low crystallographic index of a crystal lattice. We have employed deep level transient spectroscopy (DLTS) to cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c1309bdd25a20ab07ce09455b9dedb9
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(97)00857-4
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(97)00857-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :112-114
It is commonly assumed that ion beams used for channelling experiments create little damage when moving along a principal axial channel of a crystal. We have employed deep level transient spectroscopy (DLTS) to characterise the defects induced by 300
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a286f442bb7cd33f39dab0e2f4f24b09
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(96)00862-2
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(96)00862-2
Autor:
Jeffrey C. McCallum, G. de M. Azevedo, P.N.K. Deenapanray, Matthew D. H. Lay, Chennupati Jagadish
Publikováno v:
2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. COMMAD 2002. Proceedings (Cat. No.02EX601).
The effect of implantation angle on the profile of vacancy-related defects, represented by the divacancy and vacancy-phosphorus centres, in n-type Cz-Si implanted with 450 keV P or 600 keV Si ions to a dose of 2 /spl times/ 10/sup -9/ ions/spl middot
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ae99d739110f4cb0b43c8d2424abdad
https://doi.org/10.1109/commad.2002.1237284
https://doi.org/10.1109/commad.2002.1237284
Publikováno v:
1999 IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings. LEOS'99. 12th Annual Meeting. IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1999 Annual Meeting (Cat. No.99CH37009).
Precise tailoring of the electrical and optical properties of devices is an important issue in the development of optoelectronic integrated circuits. As such, post-growth tailoring techniques of the bandgap such as intermixing/interdiffusion becomes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7bd2119b7742f34d0e1d5b8ad101dbf
https://doi.org/10.1109/leos.1999.811786
https://doi.org/10.1109/leos.1999.811786