Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"P.N. Grillot"'
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 52:2039-2042
The EBIC mode of SEM was used to image individual dislocations and measure the effect of local stress on EBIC contrast of threading dislocations (TDs) in GaN LEDs. In this method, EBIC shows that localized residual stress increases the recombination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8210e4ffa1af9862ecf8f0f328ad449
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.046
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.046
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :888-890
Acceptor atoms are experimentally observed to accumulate in the low bandgap layers of III–V heterostructures while being depleted from the high bandgap layers. Such acceptor segregation can be explained by considering the space charge neutrality co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19d63416b6d610a4e22a4772ffbd3e61
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00950-4
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00950-4
Autor:
C. P. Kocot, D. Collins, F. A. Kish, P.N. Grillot, T. S. Tan, E. I. Chen, I.-H. Tan, Gloria E Hofler, M. Ochiai-Holcomb, Nathan F. Gardner, M. G. Craford, Michael R. Krames, S. A. Stockman, M. Hueschen, G. Sasser, Carrie Carter-Coman, B. Loh, Herman C Chui, J. Posselt, J.-W. Huang
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 75:2365-2367
A truncated-inverted-pyramid (TIP) chip geometry provides substantial improvement in light extraction efficiency over conventional AlGaInP/GaP chips of the same active junction area (∼0.25 mm2). The TIP geometry decreases the mean photon path-lengt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ea4424496945593d499fc3700a21ec8
https://doi.org/10.1063/1.125016
https://doi.org/10.1063/1.125016
Autor:
S.A. Maranowski, J.-W. Huang, Nathan F. Gardner, Herman C Chui, Michael R. Krames, P.N. Grillot
Publisher Summary This chapter focuses on the development and performance of aluminum gallium indium phosphide (AlGaInP) light-emitting diodes (LEDs). The AlGaInP quaternary alloy system is widely used for visible wavelength optical devices such as l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c7747ee5f8c280f8afc3a6ad97f7796
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(08)62488-6
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(08)62488-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.