Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"P.J. Zampardi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Avolio, K. Burger, A. Caddemi, V. Camarchia, W. Chen, X. Chen, E. Cipriani, P. Colantonio, G. Crupi, S. Farsi, A. Ferrero, F. Giannini, E. McCune, B. Moser, M. Pirola, A. Raffo, F. Ramirez, S. Sancho, D.M.M.-P. Schreurs, A. Suarez, G. Vannini, Z. Wang, P.J. Zampardi, S. Zhang
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6607df6bf12833e6593f39edbad6069
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-803894-9.09995-9
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-803894-9.09995-9
Autor:
R S Setzko, E.M. Rehder, Charles R. Lutz, Roger E. Welser, Kevin S. Stevens, D S Hill, P.J. Zampardi
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 16:S3373-S3385
We have developed an InGaP/GaInAsN/GaAs double heterojunction bipolar transistor technology that substantially improves upon existing GaAs-based HBTs. Band-gap engineering with dilute nitride GaInAsN alloys is utilized to enhance a variety of key dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd747302683f3d604e53c19634df2c18
https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/31/025
https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/31/025
Autor:
P.J. Zampardi
Publikováno v:
2008 IEEE Radio and Wireless Symposium.
GaAs HBT technologies currently dominate the wireless handset marketplace due to their proven RF performance, time-to-market, and size advantages compared to other technologies. As with any technology, new customer specifications and requirements dri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::663770890eb7c43e5380e271e5003e35
https://doi.org/10.1109/rws.2008.4463460
https://doi.org/10.1109/rws.2008.4463460
Publikováno v:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2005..
We present the first systematic experimental investigation of low frequency noise in InGaAsN heterojunction bipolar transistors (HBTs). The low frequency noise is examined as a function of base current for InGaAsN HBTs featuring different base strain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc8e16f7932b045fab82a64a447865a7
https://doi.org/10.1109/bipol.2005.1555236
https://doi.org/10.1109/bipol.2005.1555236
Publikováno v:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005..
A new monolithic PA for 836 MHz CDMA cellular phone is developed using a simple diode based load modulator at the output matching circuit. The modulation network allows power level dependent load impedances for better power-added efficiencies. Especi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8687deb50f881006f49440571937dda8
https://doi.org/10.1109/mwsym.2005.1516690
https://doi.org/10.1109/mwsym.2005.1516690
Publikováno v:
Proceedings of the 2000 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.00CH37124).
Measured thermal resistance in AlGaAs-GaAs HBTs varies weakly with emitter area and geometry. 3D finite element modelling shows that the origin is the finite thickness of the heat-generating region, and that emitter metallization can substantially re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2eb7d989aecc79e6e56c390f9033574
https://doi.org/10.1109/bipol.2000.886189
https://doi.org/10.1109/bipol.2000.886189
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2006 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium; 2006, p175-178, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.