Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"P.J. Mares"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 39:431-437
We compare the low power, low noise performance of 0.25 μm ion implanted MESFETs and epitaxially grown P HEMTs fabricated with the same geometry in order to identify the suitability of these technologies for the manufacture of hand-held personal com
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9d3267c7431bbd12d8675135b006dda
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00170-0
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00170-0
Autor:
Douglas W. Barlage, Q.J. Hartmann, Milton Feng, P.J. Mares, M.T. Fresina, D.A. Ahmari, G. E. Stillman
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:226-228
A self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor with a compositionally graded In/sub x/Ga/sub 1-x/As base has been demonstrated with f/sub T/=83 GHz and f/sub max/=197 GHz. To our knowledge, these results are the highest reported for both
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f59e21f69d0307911f4dc2e16f3ab39a
https://doi.org/10.1109/55.491837
https://doi.org/10.1109/55.491837
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:10-12
We report on a temperature dependent study of the dc and the microwave performance of carbon-doped InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As heterojunction bipolar transistors (HBT's). The turn on voltage increased 114% and the dc current gain decreased 25% as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16d98bcbebb6b5a2a06621fc58cea2b9
https://doi.org/10.1109/55.475561
https://doi.org/10.1109/55.475561
Autor:
D.A. Ahmari, G. E. Stillman, M.A. Fresina, Milton Feng, P.J. Mares, Q.J. Hartmann, S. L. Jackson, S. Thomas, S. A. Stockman
Publikováno v:
Proceedings of 4th International Conference on Solid-State and IC Technology.
Carbon base doping for high performance HBTs promises higher reliability, but the growth techniques must be optimized so that the hydrogen passivation of C acceptors inherent in suitable epitaxial growth techniques does not degrade device performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ddb53c27d87ecd9b0d77e41c18bda206
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.500171
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.500171
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 16:540-541
We have demonstrated self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT's) with excellent dc, microwave, and noise performance. A 3/spl times/10 /spl mu/m/sup 2/ emitter finger device achieved a cutoff frequency of f/sub T/=66 GHz and a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ec6522a6ea1e81a76277a0d9490df7a
https://doi.org/10.1109/55.475580
https://doi.org/10.1109/55.475580
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.