Výsledky vyhledávání - "P.H. Woerlee"

Akademický článek

Evaluation of the accuracy of established patient inspiratory effort estimation methods during mechanical support ventilation

Autor: A. van Diepen, T.H.G.F. Bakkes, A.J.R. De Bie, S. Turco, R.A. Bouwman, P.H. Woerlee, M. Mischi

Publikováno v: Heliyon, Vol 9, Iss 2, Pp e13610- (2023)

There is a clinical need for monitoring inspiratory effort to prevent lung- and diaphragm injury in patients who receive supportive mechanical ventilation in an Intensive Care Unit. Different pressure-based techniques are available to estimate this i

Externí odkaz: https://doaj.org/article/79723b2a56b04d7aa6df4a0724c34084

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Room Temperature SiO2 Films Deposited by Multipolar ECR PECVD

Autor: P.H. Woerlee, Alexeij Y. Kovalgin, H. Wallinga, Gratiela I. Isai, Jisk Holleman

Publikováno v: Journal de physique IV. 11(Pr3):747-753

The demand for high mobility TFTs realised on temperature unstable substrates is increasing. These devices require thin, low-temperature, high-quality gate dielectrics. It is known however, that a low deposition temperature degrades the films propert

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::47160e7968bfdc99288c5851bc3bb21c
https://doi.org/10.1051/jp4:2001394

Zobrazit plný text záznamu

Modeling of light-emission spectra measured on silicon nanometer-scale diode antifuses

Autor: N.A. Akil, Jisk Holleman, P. LeMinh, Vincent Houtsma, P.H. Woerlee, V. Zieren, D. de Mooij, H. Wallinga, A. van den Berg

Publikováno v: Applied physics, 88(4), 1916-1922. Springer

Electroluminescence (EL) spectra of nanoscale diodes formed after gate-oxide breakdown of n+-polysilicon/oxide/p+-substrate metal–oxide–semiconductor capacitors were measured in reverse and forward bias. The nanoscale diodes, called diode antifus

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f0bbc18ef0df50118d11f03b25e9a246
https://doi.org/10.1063/1.1305552

Zobrazit plný text záznamu

W-CMP for sub-micron inverse metallisation

Autor: P.H. Woerlee, Herma van Kraneburg, Martin Lohmeier, Herman D. van Corbach

Publikováno v: Microelectronic engineering, 33(1-4), 239-246. Elsevier

Chemical Mechanical Polishing (CMP) of tungsten for an inverse metallisation scheme is investigated. The influence of CMP parameters on removal rate and uniformity is studied. The main effects on the removal rate are the applied pressure and the rota

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e858967ad88ea222c93b3d15b22fd429
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00050-0

Zobrazit plný text záznamu

LPCVD SiO2 Layers Prepared from SiH4 and O2 at 450 °C in a Rapid Thermal Processing Reactor

Autor: C. Cobianu, J.B. Rem, J.H. Klootwijk, P.H. Woerlee, Marcel H.H. Weusthof, Jisk Holleman

Publikováno v: Journal de Physique IV Proceedings
Journal de Physique IV Proceedings, EDP Sciences, 1995, 05 (C5), pp.C5-1005-C5-1011. ⟨10.1051/jphyscol:19955118⟩

In this paper experimental results of the silane oxidation kinetics in a rapid thermal low pressure chemical vapor deposition (RTLPCVD) cold wall reactor at 450 °C are presented. For a certain total pressure kept constant in the range of 0.6-4.5 mba

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3e08788fa8933c0dc6cf69a4a9c5c515
https://doi.org/10.1051/jphyscol:19955118

Zobrazit plný text záznamu

Lifetime calculations of MOSFETs using depth-dependent non-local impact ionization

Autor: M.J. van Dort, J.W. Slotboom, G. Streutker, P.H. Woerlee

Publikováno v: Microelectronics Journal. 26:301-305

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bde255b9846a10e54478b4019db1fd16
https://doi.org/10.1016/0026-2692(95)98932-h

Zobrazit plný text záznamu

Stress-induced leakage current in p/sup +/ poly MOS capacitors with poly-Si and poly-Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/ gate material

Autor: Cora Salm, F.P. Widdershoven, Vincent Houtsma, P.H. Woerlee, Jisk Holleman

Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 20:314-316

The gate bias polarity dependence of stress-induced leakage current (SILC) of PMOS capacitors with a p/sup +/ polycrystalline silicon (poly-Si) and polycrystalline Silicon-Germanium (poly-Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/) gate on 5.6-nm thick gate oxides has b

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2c1dab7028a60424c73cf0b0f53f732c
https://doi.org/10.1109/55.772361

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání