Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"P.H. Haumesser"'
Autor:
I. Helgadottir, Philippe P. Arquilliere, Catherine C. Santini, P.H. Haumesser, Patrice Gergaud, Guillaume Freychet, Mireille Maret
Publikováno v:
Nanoscale
Nanoscale, 2014, 6 (24), pp.14856-14862
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2014, 6 (24), pp.14856-14862
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2014, 6 (24), pp.14856-62. ⟨10.1039/C4NR03666B⟩
Nanoscale, 2014, 6 (24), pp.14856-14862
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2014, 6 (24), pp.14856-14862
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2014, 6 (24), pp.14856-62. ⟨10.1039/C4NR03666B⟩
CAPLUS AN 2014:1682958(Journal; Online Computer File); International audience; Suspensions of bimetallic nanoparticles (NPs) of Ru and Cu have been synthesized by simultaneous decompn. of two organometallic compds. in an ionic liq. These suspensions
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d8613c639b0b1973be19d51046b2b85e
https://hal.science/hal-02087081
https://hal.science/hal-02087081
Autor:
Vincent Arnal, M. Assou, C. Jayet, Gérard Passemard, P.H. Haumesser, K. Hamioud, Sylvain Maitrejean, S. Olivier, S. Gall, M. Bernard
Publikováno v:
2008 International Interconnect Technology Conference.
To reduce the capacitance and mimprove the reliability of metal interconnects at the 32 nm node and beyond, a promising approach is to use a direct CMP process stopping in the porous ultra-low k material combined with a metallicself-aligned CoWP capp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e167294d117a096fec30b603b515e117
https://doi.org/10.1109/iitc.2008.4546944
https://doi.org/10.1109/iitc.2008.4546944
Autor:
C. le Cornec, Vincent Jousseaume, Gérard Passemard, H. Feldis, O. Louveau, M. Fayolle, P.H. Haumesser, E. Tabouret, M. Assous, Florence Fusalba, P. Leduc
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2004 International Interconnect Technology Conference (IEEE Cat. No.04TH8729).
This paper is focused on a new integration scheme to perform Cu/porous ULK interconnects. The dielectric (composite material made of porogen nano-particles dispersed in a MSQ matrix) is integrated in its non-porous state, preventing integration issue
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2c5d17454a9c6325c3481a22b8388f84
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345748
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345748
Autor:
Thierry Mourier, W Besling, Gérard Passemard, M. Cordeau, Laurent-Georges Gosset, Sylvain Maitrejean, Joaquim Torres, P.H. Haumesser
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2004 International Interconnect Technology Conference (IEEE Cat. No.04TH8729).
As ultra-large scale integration progresses, efficient copper metallization of the narrow geometries becomes challenging. In this article, the various critical steps of the damascene metallization scheme are identified. Barrier deposition, copper see
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a3e87db4e755d43e03597ff5c14ca84
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345663
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345663
Autor:
F. Pierre, Gérard Passemard, Sylvain Maitrejean, R. Pantel, C. Lecornec, F. Fusalba, P. Maury, M. Cordeau, M. Fayolle, P.H. Haumesser, Vincent Jousseaume, H. Feldis, Thierry Mourier
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.03TH8695).
65 nm and below technologies will require a combination of porous ultra low k dielectric and copper metallization. Feature size may need the use of conformal metallic barrier deposition methods like CVD or ALD. One of the key issues for integration o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dcce17be3d47258bed5c71601c07959f
https://doi.org/10.1109/iitc.2003.1219766
https://doi.org/10.1109/iitc.2003.1219766
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.