Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"P.G. Lytovchenko"'
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 22, Iss 3, Pp 437-443 (2021)
The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 hours at each temperature. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d4c10cb806194aa3a3d3b05375f0a26f
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 22, Iss 3, Pp 437-443 (2021)
The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 hours at each temperature. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f0364cdffac0de193e7cae4e0d32dfe
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/4991
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/4991
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 2, Pp 185-189 (2019)
The article deals with the filamentous Si0,97Ge0,03 crystals with transverse dimensions of 40 ± 2 μm grown by the method of chemical transport reactions in the closed bromide system using gold as a growth initiator. The focus of research was the in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c113a1d68e4c2b1d76f18e95e164da63
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3823
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3823
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. I. Vlasenko, Z. K. Vlasenko, V. P. Tartachnyk, M.B. Pinkovska, V. P. Veleschuk, I. V. Petrenko, M. P. Kisselyuk, P.G. Lytovchenko
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Âderna Fìzika ta Energetika, Vol 16, Iss 4, Pp 362-366 (2015)
Âderna Fìzika ta Energetika, Vol 16, Iss 4, Pp 362-366 (2015)
Effect of the reactor fast neutron flux (E = 2 MeV, Ф = 2⋅1014 n/cm2) on the current-voltage, capacitance-voltage characteristics, the electroluminescence intensity of power ІnGaN/GaN LEDs on the SіC and AuSn/Si substrates are studied. It was re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5ea07a71f6aa6024971f58925658055
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84962549173&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84962549173&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.