Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"P.F. Lou"'
Autor:
Y.K. Allen, M.W. Pierce, R.F. Lohr, R.A. Metzger, William E. Stanchina, P.F. Lou, Joseph F. Jensen, David B. Rensch, R.W. Quen
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 26:415-421
Integrated circuits (ICs) fabricated with AlGaAs/GaInAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) lattice matched to InP substrates are described. The transistors used in this work consisted of an abrupt emitter-base junction design. A cutoff frequen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c6ffdc580d281c179fbca5695e029a1
https://doi.org/10.1109/4.75028
https://doi.org/10.1109/4.75028
Publikováno v:
LEOS 1991 Summer Topical Meetings on Spaceborne Photonics: Aerospace Applications of Lasers and Electro-Optics, Optical Millimeter-Wave Interactions: Measurements, Generation, Transmission and Control.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ea509ed36c86970e02f59608feb909c
https://doi.org/10.1109/leosst.1991.665290
https://doi.org/10.1109/leosst.1991.665290
Autor:
Joseph F. Jensen, R.A. Metzger, Takyiu Liu, L.G. McCray, William E. Stanchina, P.F. Lou, M.W. Pierce
Publikováno v:
[1991] 49th Annual Device Research Conference Digest.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed31c283fd5b9117e1b4ef3af3b9bc7d
https://doi.org/10.1109/drc.1991.664726
https://doi.org/10.1109/drc.1991.664726
Autor:
J. E. Jensen, T.V. Kargodorian, Y.K. Allen, R.A. Metzger, Robert J. Ferro, M.W. Pierce, P.F. Lou, David B. Rensch, William E. Stanchina
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
This paper describes the demonstration of CML ring-oscillators and static frequency divider circuits implemented with AlInAs/GalnAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) lattice matched to InP substrates. A cutoff frequency (fT) and a maximum fre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::615acdca3770ba876772b3e023553d89
https://doi.org/10.1117/12.20907
https://doi.org/10.1117/12.20907
Autor:
M.W. Pierce, Y.K. Allen, W. E. Stanchina, T.V. Kargodorian, R. G. Wilson, P.F. Lou, U.K. Mishra, L.G. McCray, J. F. Jensen, R.A. Metzger, T. Liu
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 10:859
Low‐temperature (LT) GaInAs has been used to inhibit the diffusion of Be from the base to emitter in Npn AlInAs/GaInAs/GaInAs heterostructure bipolar transistors (HBTs) grown lattice matched to InP substrates by molecular‐beam epitaxy (MBE). A se
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b81a92837da0828b5ddc910c1e5da8fe
https://doi.org/10.1116/1.586136
https://doi.org/10.1116/1.586136
Autor:
M.W. Pierce, Takyiu Liu, L.G. McCray, P.F. Lou, R.A. Metzger, William E. Stanchina, Joseph F. Jensen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:2720
Summary form only given. N-p-n AlInAs/GaInAs/InP double-heterojunction bipolar transistors (DHBTs) have been fabricated. They operated with common emitter current gains to over 125 and cutoff frequencies (both f/sub T/ and f/sub max/) of approximatel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2fc8c53590a60d77f947558f79cc06ca
https://doi.org/10.1109/16.158757
https://doi.org/10.1109/16.158757
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.