Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"P.E. Laux"'
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 1:198-200
A novel process for the fabrication of tee- or gamma-shaped gate structures is presented. This process was utilized to fabricate 0.25 mu m*60 mu m and 0.25 mu m*150 mu m T-gate MESFETs. From S-parameter data up to 40 GHz, extrapolated cutoff frequenc
Publikováno v:
Electronics Letters. 28:1261
A novel process, using standard thin film and optical lithography techniques, has been demonstrated which is capable of yielding linewidths considerably below 0.25 μm. Furthermore, inherent in this selfaligned process is the formation of high aspect
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.