Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"P.E. Brunemeier"'
Autor:
P.E. Brunemeier, D.H. Rosenblatt, B.C. Schmukler, W.A. Strifler, R.D. Remba, W.R. Hitchens, B.D. Cantos
Publikováno v:
15th Annual GaAs IC Symposium.
A citric buffer etch has been developed and used to create an optimized etch-stop process for the manufacture of recessed gate GaAs/AlGaAs FETs. Selectives in excess of 1800 have been achieved for a 25 /spl Aring/, x=0.35 Al/sub x/Ga/sub 1-x/As stop
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 66:484-486
It is shown that the InGaAsP quaternary grown by constant temperature liquid phase epitaxy on InP substrates can, under special conditions of growth solution supersaturation and epitaxial layer mismatch, exhibit considerably narrower rocking curve ha
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 46:755-757
Photoluminescence data on liquid phase epitaxial single‐well quantum well heterostructures are presented that permit the determination of the valence‐band discontinuity ΔEv in InP‐In1−xGaxP1−yAsy heterostructures at several quaternary comp
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.