Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"P.D. Bekris"'
Autor:
T. A. Kuzemchenko, V.S. Vavilov, P.D. Bekris, S. Yu. Sokolov, D. L. Khavroshin, C.D. Kourkoutas, M.V. Chukichev, G. N. Galkin, L. K. Vodopyanov, R. R. Resvanov, E. A. Bobrova, Yu. A. Aleshchenko, A. E. Kiv, P. C. Euthymiou
Publikováno v:
Radiation Effects and Defects in Solids. 125:323-331
New experimental data are presented which indicate the change of defect centers concentration in GaAs at macroscopic (up to millimeters) distances from the implanted regions edge. These data were obtained by locally exited cathodoluminescence, by obs
Publikováno v:
Solid State Communications. 55:881-885
The negative magnetoresistance of lightly doped Te-GaSb ( n -type) has been investigated in the temperature range 40–180K. The experimental data have been analysed according to the Toyozawa model in order to obtain information about the magnitude a
Publikováno v:
Solid State Communications. 49:1071-1075
The conduction band parameters of GaSb have been investigated in the temperature region 70–280 K. Hall and magnetoresistance data have been analysed according to the two band model to obtain information about the energy separation ΔE12 of the cond
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.