Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"P.D. Agnello"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:889-894
This paper reports the experimental results of the first CMOS active pixel image sensors (APS) fabricated using a high-performance 1.8-V, 0.25-/spl mu/m CMOS logic technology. No process modifications were made to the CMOS logic technology so that th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9e946f0601a03f77651efd0d4c92fe1
https://doi.org/10.1109/16.662797
https://doi.org/10.1109/16.662797
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:759-765
An experiment to determine the effect of gate electrode resistivity on circuit speed gave unexpected results: circuits with the lowest sheet resistance had the poorest circuit speed. Explanation of this behaviour required development of a new high-fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::567f9f8529dd7e9184490dea12497968
https://doi.org/10.1109/16.491253
https://doi.org/10.1109/16.491253
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
The importance of vertical continuity of the gate electrodes of submicron CMOS circuits is discussed. A high frequency technique for assessing this continuity is demonstrated. An example of a gate structure with poor vertical continuity is shown, and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a282d9dd4a10302f775f25475ac641ba
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347257
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347257
Publikováno v:
30th Annual Proceedings Reliability Physics 1992.
Electron beam charging without any conventional electrical measurements has been used to understand gate electrode leakage currents in a silicide process. Using this technique, it was determined that the leakage is caused by single defects which are
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a06003e1ff5310231322a7b569eaf5e
https://doi.org/10.1109/relphy.1992.187661
https://doi.org/10.1109/relphy.1992.187661
Autor:
A. Bright, Andrew Pomerene, J. Conway, R. Viswanathan, T.J. Bucelot, David E. Seeger, D. Patel, Patricia G. Blauner, P.D. Agnello, Karen Petrillo, John Michael Warlaumont
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 11:2910
Functional 512K static random access memory (SRAM) devices containing more than 3.6 million transistors have been successfully fabricated in a 0.25 μm complementary metal–oxide semiconductor technology using compact storage ring x‐ray lithograph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cea7cebc7f917e8902d050df1790d1b7
https://doi.org/10.1116/1.586560
https://doi.org/10.1116/1.586560
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.