Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"P.C. Yen"'
Autor:
Hun-Jan Tao, H. C. Lin, Huan-Just Lin, Lee Chia-Fu, P.C. Yen, C.H. Huang, Yuan-Hung Chiu, W.S. Huang, C. C. Wu, King-Yuen Wong, Chun Chen, Stock Chang, Wang Shiang-Bau, Li-Shiun Chen, S.W. Chuang, Po-Kang Wang, Ming-Jie Huang, X.F. Yu, S.Y. Ku, Chien-Chao Huang, M.L. Cheng, Yung-Huei Lee, K. F. Yu, T.H. Li, C.M. Wu, Y. C. Peng, C.H. Tsai, Y.C. Lin, Tsz-Mei Kwok, Yi-Chun Huang, P.S. Lim, T.C. Gan, Tzong-Lin Wu, K.Y. Hsu, L.Y. Yang, S.S. Lin, L.W. Weng, T.H. Hsieh, F.K. Yang, C.T. Chan, Eric Ou-Yang, P.C. Hsieh, Derek Lin, S.B. Wang, Ming-Jer Chen, A. Keshavarzi, Chih-Yuan Lu, Chuan-Ping Hou, L.T. Lin, J.L. Yang, Yuh-Jier Mii, Chien-Chang Su, J.H. Chen, Hsieh Ching-Hua, Huan-Neng Chen, Y.W. Tseng, C. P. Lin, Chou Chun-Hao, A.S. Chang, Tseng Chien-Hsien, S.H. Liao, Tsung-Lin Lee, M. Cao
Publikováno v:
2010 International Electron Devices Meeting.
A high performance 22/20nm CMOS bulk FinFET achieves the best in-class N/P I on values of 1200/1100 µA/µm for I off =100nA/µm at 1V. Excellent device electrostatic control is demonstrated for gate length (L gate ) down to 20nm. Dual-Epitaxy and mu
Publikováno v:
Proceedings of the 12th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2005. IPFA 2005..
Stress-induced voiding (SIV) was studied in the aspects of global and localized stress variation with the change of copper geometries. Two types of interconnect structures were adopted to evaluate resistance shift versus bake time and feature size ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.