Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"P.C. Riffe"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 35:230-239
A dielectrically isolated bipolar-CMOS-DMOS (BCDMOS) integrated-circuit technology that has been successfully developed for high-voltage applications (150-500 V) is reported. This technology integrates bipolar, CMOS, DMOS, p-n-p-n, JFET, and DGDMOS (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48fe3ae406d4c0195e5400f190ce421d
https://doi.org/10.1109/16.2443
https://doi.org/10.1109/16.2443
Publikováno v:
Electronics Letters. 23:407
Argon ion implantation was used to create a damaged surface layer on field oxide. Subsequent oxide etching created a tapered oxide transition from thin oxide to thick field oxide. This structure effectively improves the breakdown voltage of the plana
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d51707276d40ac3906245256b45ed222
https://doi.org/10.1049/el:19870296
https://doi.org/10.1049/el:19870296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.