Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"P.A. Potyraj"'
Publikováno v:
1996 54th Annual Device Research Conference Digest.
Summary form only given. Due to the progress of epitaxial base technology, Si/SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) have continually out-performed their Si counterparts. In this work, the precept is again affirmed by the demonstration of ver
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a12d23d9e8242bc1edfe9f51eeb946d
https://doi.org/10.1109/drc.1996.546308
https://doi.org/10.1109/drc.1996.546308
Publikováno v:
1996 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
Large-area Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ HBTs were demonstrated with record output power at S-Band. Under pulsed conditions in class C operation, >230 W saturated power was achieved at 2.8 GHz. At 200 W the device exhibited a collector efficiency of 46% an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a1cd8330ef45c4f425f04f7b8d989eb
https://doi.org/10.1109/mwsym.1996.511029
https://doi.org/10.1109/mwsym.1996.511029
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 35:1334-1343
The influence of several process variables on the characteristics of polysilicon emitter transistors is studied. The diffusion length of the polysilicon layer was increased using hydrogen passivation, resulting in an increase in the transistor curren
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a296e73e991d1e9c90a3d5ac503d150
https://doi.org/10.1109/16.2556
https://doi.org/10.1109/16.2556
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 28:1255-1261
Large electric fields present in polysilicon pn junctions result in field enhancement of the emission and capture rates of traps in the depletion region. We used numerical integration to evaluate the enhanced emission rate and found that the field de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20312689a5ecd741a9cf8958ee2fc70d
https://doi.org/10.1016/0038-1101(85)90051-6
https://doi.org/10.1016/0038-1101(85)90051-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.