Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"P.A. Orphanos"'
Publikováno v:
Journal of Photopolymer Science and Technology. 14:547-554
We have demonstrated that current DUV resist platforms can be optimized to develop new EPL resists and that these new resists have a greater degree of freedom in their design than their optical counterparts. Free from the constraints of optical litho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60ea257df9c14df35e736657e55a5dd4
https://doi.org/10.2494/photopolymer.14.547
https://doi.org/10.2494/photopolymer.14.547
Autor:
C.D. Brandt, T.J. Smith, Rowland C. Clarke, S. Sriram, R.R. Siergiej, A.A. Burk, Anant K. Agarwal, P.G. McMullin, H.M. Hobgood, P.A. Orphanos
Publikováno v:
52nd Annual Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04ba92b001b952bf70ce5f930e82bf33
https://doi.org/10.1109/drc.1994.1009400
https://doi.org/10.1109/drc.1994.1009400
Autor:
C.D. Brandt, S. Sriram, M.C. Driver, R.C. Glass, H.M. Hobgood, Larry B. Rowland, G. Augustine, P.A. Orphanos, T.J. Smith, Richard H. Hopkins, A.A. Burk
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:369-371
We report for the first time the development of state-of-the-art SiC MESFETs on high-resistivity 4H-SiC substrates. 0.5 /spl mu/m gate MESFETs in this material show a new record high f/sub max/ of 42 GHz and RF gain of 5.1 dB at 20 GHz. These devices
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e76220291000bcb52685f212fa3283d9
https://doi.org/10.1109/55.506370
https://doi.org/10.1109/55.506370
Autor:
R.R. Barron, R.H. Hopkins, G. Augustine, A.A. Burk, S. Sriram, M.C. Driver, R.C. Glass, C.D. Brandt, T.J. Smith, Rowland C. Clarke, R.R. Siergiej, H.M. Hobgood, P.A. Orphanos, A.W. Morse
Publikováno v:
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest.
Summary form only given. SiC MESFETs are very promising candidates for RF power amplification, due to their unique combination of high saturation velocity, high breakdown strength, and high thermal conductivity. In the present work, we demonstrate fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad8642bd574048a37d0dcf82b359b913
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496290
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496290
Autor:
R.R. Siergiej, A.W. Morse, Rowland C. Clarke, A.K. Aganval, A.A. Burk, C.D. Brandt, P.A. Orphanos
Publikováno v:
Proceedings of International Electron Devices Meeting.
Static induction transistors have been demonstrated in 4H-SiC. SiC specific semiconductor processing technologies such as epitaxy, reactive ion etching, and sidewall Schottky gates were employed. Under pulsed power test conditions, 4H-SiC SITs develo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff374100729d064731578741c10e4867
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499213
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499213
Autor:
P.G. McMullin, P.A. Orphanos, Richard H. Hopkins, A.A. Burk, M.C. Driver, T.J. Smith, Rowland C. Clarke, S. Sriram, R.R. Siergiej, C.D. Brandt, H.M. Hobgood
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 15:458-459
State-of-the art SiC MESFET's showing a record high f/sub max/ of 26 GHz and RF gain of 8.5 dB at 10 GHz are described in this paper. These results were obtained by using high-resistivity SiC substrates for the first time to minimize substrate parasi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a54c590fcdcea7a0d9e86a2728af7825
https://doi.org/10.1109/55.334666
https://doi.org/10.1109/55.334666
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.