Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"P.A. Ecton"'
Autor:
Guido F. Verbeck, Bibhudutta Rout, J. Beatty, Jose M. Perez, Wickramaarachchige J. Lakshantha, P.A. Ecton
Publikováno v:
Applied Surface Science. 387:822-827
We investigate the conditions under which electron irradiation at 2 keV of single-wall carbon nanotube (SWCNT) bundles produces an increase in the Raman D peak. We find that irradiation of SWCNTs that are preheated in situ at 600 °C for 1 h in ultra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::125f8fdf1e20d21ab8b95d4fc8f21405
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.06.111
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.06.111
Autor:
Steven Yao, Lidia El Bouanani, Usha Philipose, Daniel C. Jones, Yan Jiang, Jose M. Perez, Mohamed El Bouanani, Bibhudutta Rout, John D. Femi-Oyetoro, Kevin Yao, Arup Neogi, P.A. Ecton
Publikováno v:
2D Materials. 7:015024
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a8b0c50e724fa1350ac06b39806278d
https://doi.org/10.1088/2053-1583/ab5971
https://doi.org/10.1088/2053-1583/ab5971
Autor:
Ashley Mhlanga, John D. Femi-Oyetoro, Duncan L. Weathers, Jose M. Perez, Guido F. Verbeck, P.A. Ecton, Kevin M. Roccapriore, Kevin Yao, Runtian Tang
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A. 37:021401
The authors investigate the mechanism for etching of exfoliated graphene multilayers on SiO2 by low-energy (50 eV) electron irradiation using He plasma systems for electron sources. A mechanism for this etching has been previously proposed in which t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a27b2d5283ad357f3ce583d102591143
https://doi.org/10.1116/1.5080445
https://doi.org/10.1116/1.5080445
Autor:
Y. Mo, Yasuhisa Fujita, Q.Y. Chen, Jeffrey J. Schwartz, Jose M. Perez, P.A. Ecton, Arup Neogi, H.W. Seo, N.J. Ho, Morgan Lynch, L.W. Tu
Publikováno v:
Nanoscale Photonics and Optoelectronics ISBN: 9781441972330
We review the growth and field emission (FE) properties of ZnO, ZnS, and GaN nanostructures. For ZnO nanostructures, we discuss in detail solution-based growth techniques and the effects of residual gas exposure on the FE properties. We present new r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e82ffafbb33d288a969385578c57262b
https://doi.org/10.1007/978-1-4419-7587-4_7
https://doi.org/10.1007/978-1-4419-7587-4_7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhiming M Wang, Arup Neogi
The intersection of nanostructured materials with photonics and electronics shows great potential for clinical diagnostics, sensors, ultrafast telecommunication devices, and a new generation of compact and fast computers. Nanophotonics draws upon c